公开/公告号CN103320764B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-10-21
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN201310237610.9
申请日2013-06-14
分类号C23C16/34(20060101);C23C16/44(20060101);C30B25/02(20060101);C30B25/18(20060101);C30B29/38(20060101);C30B29/40(20060101);H01L21/205(20060101);
代理机构
代理人
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2022-08-23 09:30:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-08-11
专利权的转移 IPC(主分类):C23C16/34 登记生效日:20170721 变更前: 变更后: 申请日:20130614
专利申请权、专利权的转移
2015-10-21
授权
授权
2014-01-08
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/34 申请日:20130614
实质审查的生效
2013-09-25
公开
公开
机译: 在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译: 在半导体结构的衬底接收器上转移半导体层的方法,包括形成阻挡层,并选择阻挡层的厚度以使断裂面不到达半导体层。
机译: 具有单晶特性的三角形衬底上的菱面体立方半导体材料以及基于这种材料的器件