铝预处理对硅衬底上AlN缓冲层与GaN外延层的影响

摘要

本文研究了三甲基铝(TMAI)预处理时间对硅衬底上生长GaN的影响。结果表明，没有TMAI预处理，样品的AIN缓冲层以及GaN外延层质量都比较差，通过控制预处理时间，得到表面光滑无裂纹的GaN外延层。然而，过长时间TMAI预处理，AIN缓冲层出现了明显的金属颗粒，GaN层也出现金属花纹。