GaN缓冲层中的掺杂剂扩散调制

摘要

一种半导体晶体及其形成方法。该方法包括提供包含掺杂剂和III族元素的气体流、停止提供包含掺杂剂和III族元素的气体流降低温度、重新开始提供包含III族元素的气体流然后升高温度。