公开/公告号CN102420187B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-02-05
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201110150699.6
申请日2011-06-07
分类号
代理机构上海新天专利代理有限公司;
代理人王敏杰
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
入库时间 2022-08-23 09:17:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-02-05
授权
授权
2012-06-13
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20110607
实质审查的生效
2012-04-18
公开
公开
机译: 用于监视NBTI(负偏置温度不稳定性)效应和/或PBTI(正偏置温度不稳定性)效应的电路和设计结构
机译: 监视NBTI(负偏置温度不稳定性)效应和/或PBTI(正偏置温度不稳定性)效应的电路和设计结构
机译: 使用F2注入减少窄宽度PMOS中的负偏置温度不稳定性