偏置条件对PMOS器件X射线总剂量效应的影响

摘要

辐射偏置条件是影响MOSFET总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关。本文采用10keV X射线对PMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响。实验结果表明,对于PMOSFET而言,低剂量条件下,ON偏置条件是最优偏置条件,PG偏置条件是最劣偏置条件，在高剂量条件下,ON偏置条件是最劣偏置条件,ZERO偏置条件是最优偏置条件。