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Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International
Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International
召开年:
2001
召开地:
Washington, DC
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
A novel SCR macromodel for ESD circuit simulation
机译:
用于ESD电路仿真的新型SCR宏模型
作者:
Juliano P.A.
;
Rosenbaum E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
2.
A partial SOI technology for single-chip RF power amplifiers
机译:
单芯片RF功率放大器的部分SOI技术
作者:
Jun Cai
;
Changhong Ren
;
Liang
;
Y.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
3.
A very high efficiency silicon bipolar transistor
机译:
高效硅双极晶体管
作者:
Carrara F.
;
Scuderi A.
;
Tontodonato G.
;
Palmisano G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
4.
Wafer-level packaged RF-MEMS switches fabricated in a CMOS fab
机译:
CMOS晶圆厂制造的晶圆级封装RF-MEMS开关
作者:
Tilmans H.A.C.
;
Ziad H.
;
Jansen H.
;
Di Monaco O.
;
Jourdain A.
;
De Raedt W.
;
Rottenberg X.
;
De Backer E.
;
Decaussernaeker A.
;
Baert K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
5.
A partial SOI technology for single-chip RF power amplifiers
机译:
单芯片RF功率放大器的部分SOI技术
作者:
Jun Cai
;
Changhong Ren
;
Liang Y.C.
;
Sin J.K.O.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
6.
Overcoming Cu/CVD low-k integration challenges in a high performance interconnect technology
机译:
克服高性能互连技术中的Cu / CVD低k集成挑战
作者:
Lytle S.A.
;
Karthikeyan S.
;
Oladeji I.O.
;
Lee T.J.
;
Li H.M.
;
Zhang A.
;
Steiner K.G.
;
Merchant S.M.
;
Oh M.
;
Jessen S.W.
;
Gibson G.W. Jr.
;
Ramappa D.
;
Taylor J.A.
;
Tse T.Y.
;
Hariharaputhiran M.
;
Hua G.
;
Kim H.T.
;
Mattern L.N.
;
Kamat N.
;
Chew P.K.H.
;
Chesire D.P.
;
Kang S.H.
;
Vitkavage S.C.
;
Adebanjo R.O.
;
Wolf T.M.
;
Kook T.
;
Huang R.Y.S.
;
Cuthbertson A.
;
Hillenius S.J.
;
Ibbotson D.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
7.
Anomalous diffusion in the extension region of nanoscale MOSFETs
机译:
纳米级MOSFET扩展区域的异常扩散
作者:
Fukutome H.
;
Aoyama T.
;
Arimoto H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
8.
Base current tuning in SiGe HBT's by SiGe in the emitter
机译:
发射极中的SiGe在SiGe HBT中对基极电流进行调谐
作者:
Huizing H.G.A.
;
Klootwijk J.H.
;
Aksen E.
;
Slotboom J.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
9.
Capacitance enhancement techniques for sub-100 nm trench DRAMs
机译:
低于100 nm沟槽DRAM的电容增强技术
作者:
Gutsche M.
;
Seidl H.
;
Luetzen J.
;
Birner A.
;
Hecht T.
;
Jakschik S.
;
Kerber M.
;
Leonhardt M.
;
Moll P.
;
Pompl T.
;
Reisinger H.
;
Rongen S.
;
Saenger A.
;
Schroeder U.
;
Sell B.
;
Wahl A.
;
Schumann D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
10.
CMOS device optimization for mixed-signal technologies
机译:
针对混合信号技术的CMOS器件优化
作者:
Stolk P.A.
;
Tuinhout H.P.
;
Duffy R.
;
Augendre E.
;
Bellefroid L.P.
;
Bolt M.J.B.
;
Croon J.
;
Dachs C.J.J.
;
Huisman F.R.J.
;
Moonen A.J.
;
Ponomarev Y.V.
;
Roes R.F.M.
;
Da Rold M.
;
Seevinck E.
;
Sreerambhatla K.N.
;
Surdeanu R.
;
Velghe R.M.D.A.
;
Vertregt M.
;
Webster M.N.
;
van Winkelhoff N.K.J.
;
Zegers-Van Duijnhoven A.T.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
11.
Comprehensive model for nitrogen diffusion in silicon
机译:
硅中氮扩散的综合模型
作者:
Adam L.S.
;
Law M.E.
;
Hegde S.
;
Dokumaci O.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
12.
Current status and prospects of ferroelectric memories
机译:
铁电存储器的现状与展望
作者:
Ishiwara H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
13.
Dynamic macromodeling of MEMS mirror devices
机译:
MEMS镜面设备的动态宏建模
作者:
Jinghong Chen
;
Kang S.-M.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
14.
High quality CVD TaN gate electrode for sub-100 nm MOS devices
机译:
用于100 nm以下MOS器件的高质量CVD TaN栅电极
作者:
Kim Y.H.
;
Lee C.H.
;
Jeon T.S.
;
Bai W.P.
;
Choi C.H.
;
Lee S.J.
;
Xinjian L.
;
Clarks R.
;
Roberts D.
;
Kwong D.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
15.
High-speed SiGe:C bipolar technology
机译:
高速SiGe:C双极技术
作者:
Bock J.
;
Schafer H.
;
Knapp H.
;
Zoschg D.
;
Aufinger K.
;
Wurzer M.
;
Boguth S.
;
Stengl R.
;
Schreiter R.
;
Meister T.F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
16.
Innovation of 300 mm fab manufacturing with single wafer technology
机译:
采用单晶片技术的300毫米晶圆厂制造创新
作者:
Chen C.
;
Lin T.
;
Jung J.
;
Yabuoshi N.
;
Sasaki Y.
;
Komori K.
;
Hsueh Hao Shih
;
Chao Min Liao
;
Funabashi M.
;
Suzuki N.
;
Ishii Y.
;
Uchino T.
;
Nemoto K.
;
Yamamoto H.
;
Nishihara S.
;
Sasabe S.
;
Koike A.
;
Ikeda S.
;
Tsao J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
17.
MEMS fingerprint sensor with arrayed cavity structures
机译:
具有阵列腔结构的MEMS指纹传感器
作者:
Sato N.
;
Machida K.
;
Morimura H.
;
Shigematsu S.
;
Kudou K.
;
Yano M.
;
Kyuragi H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
18.
Microelectronics meets molecular and neurobiology
机译:
微电子学符合分子生物学和神经生物学
作者:
Fromherz P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
19.
Monolithic silicon optoelectronic biochips
机译:
单片硅光电生物芯片
作者:
Misiakos K.
;
Kakabakos S.E.
;
Douvas A.
;
Argitis P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
20.
Organic and polymer semiconductor devices
机译:
有机和聚合物半导体器件
作者:
Dodabalapur A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
21.
Organic thin film phototransistors and fast circuits
机译:
有机薄膜光电晶体管和快速电路
作者:
Gundlach D.J.
;
Zhou L.
;
Nichols J.A.
;
Huang J.-R.
;
Sheraw C.D.
;
Jackson T.N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
22.
Physical analysis of reliability degradation in sub-micron devices
机译:
亚微米设备可靠性下降的物理分析
作者:
Radhakrishnan M.K.
;
Pey K.L.
;
Tung C.H.
;
Lin W.H.
;
Ong S.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
23.
RF-interconnect for future inter- and intra-ULSI communications
机译:
射频互连,用于未来的ULSI内部和内部通信
作者:
Chang M.-C.F.
;
Hyunchol Shin
;
Liyang Zhang
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
24.
Robust ternary metal gate electrodes for dual gate CMOS devices
机译:
用于双栅CMOS器件的坚固的三元金属栅电极
作者:
Dae-Gyu Park
;
Tae-Ho Cha
;
Kwan-Yong Lim
;
Heung-Jae Cho
;
Tae-Kyun Kim
;
Se-Aug Jang
;
You-Seok Suh
;
Veena Misra
;
In-Seok Yeo
;
Jae-Sung Roh
;
Jin Won Park
;
Hee-Koo Yoon
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
25.
Scalable Two-Transistor Memory (STTM)
机译:
可扩展的两晶体管存储器(STTM)
作者:
Yi J.H.
;
Kim W.S.
;
Song S.
;
Khang Y.
;
Kim H.-J.
;
Choi J.H.
;
Lim H.H.
;
Lee N.I.
;
Fujihara K.
;
Kang H.-K.
;
Moon J.T.
;
Lee M.Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
26.
Sub-20 nm CMOS FinFET technologies
机译:
20nm以下CMOS FinFET技术
作者:
Yang-Kyu Choi
;
Lindert N.
;
Peiqi Xuan
;
Tang S.
;
Daewon Ha
;
Anderson E.
;
Tsu-Jae King
;
Bokor J.
;
Chenming Hu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
27.
TCAD software for ESD on-chip protection design
机译:
TCAD软件用于ESD片上保护设计
作者:
Fichtner W.
;
Esmark K.
;
Stadler W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
28.
The ballistic FET: design, capacitance and speed limit
机译:
弹道FET:设计,电容和速度限制
作者:
Solomon P.M.
;
Laux S.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
29.
Ultra high speed SiGe NPN for advanced BiCMOS technology
机译:
用于高级BiCMOS技术的超高速SiGe NPN
作者:
Racanelli M.
;
Schuegraf K.
;
Kalburge A.
;
Kar-Roy A.
;
Shen B.
;
Hu C.
;
Chapek D.
;
Howard D.
;
Quon D.
;
Wang F.
;
Uren G.
;
Lao L.
;
Tu H.
;
Zheng J.
;
Zhang J.
;
Bell K.
;
Yin K.
;
Joshi P.
;
Akhtar S.
;
Vo S.
;
Lee T.
;
Shi W.
;
Kempf P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
30.
Ultrathin high-K gate stacks for advanced CMOS devices
机译:
适用于高级CMOS器件的超薄高K栅极堆叠
作者:
Gusev E.P.
;
Buchanan D.A.
;
Cartier E.
;
Kumar A.
;
DiMaria D.
;
Guha S.
;
Callegari A.
;
Zafar S.
;
Jamison P.C.
;
Neumayer D.A.
;
Copel M.
;
Gribelyuk M.A.
;
Okorn-Schmidt H.
;
DEmic C.
;
Kozlowski P.
;
Chan K.
;
Bojarczuk N.
;
Ragnarsson L.-A.
;
Ronsheim P.
;
Rim K.
;
Fleming R.J.
;
Mocuta A.
;
Ajmera A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
31.
Capacitance enhancement techniques for sub-100 nm trench DRAMs
机译:
低于100 nm沟槽DRAM的电容增强技术
作者:
Gutsche M.
;
Seidl H.
;
Luetzen J.
;
Birner A.
;
Hecht T.
;
Jakschik S.
;
Kerber M.
;
Leonhardt M.
;
Moll P.
;
Pompl T.
;
Reisinger H.
;
Rongen S.
;
Saenger A.
;
Schroeder U.
;
Sell B.
;
Wahl A.
;
Schumann D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
32.
Cu contamination induced degradation mechanism of embedded flash cell
机译:
铜污染诱导嵌入式闪存的降解机理
作者:
Isobe K.
;
Kanda M.
;
Murakami T.
;
Totsuka K.
;
Moriuchi M.
;
Miyoshi T.
;
Yamada S.
;
Noguchi T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
33.
Effects of surface traps on breakdown voltage and switching speed of GaN power switching HEMTs
机译:
表面陷阱对GaN功率开关HEMT的击穿电压和开关速度的影响
作者:
Zhang N.-Q.
;
Moran B.
;
DenBaars S.P.
;
Mishra U.K.
;
Wang X.W.
;
Ma T.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
34.
Field emitter arrays for low voltage applications with sub 100 nm apertures and 200 nm period
机译:
适用于低压应用的场发射器阵列,具有小于100 nm的孔径和200 nm的周期
作者:
Pflug D.G.
;
Schattenburg M.
;
Smith H.I.
;
Akinwande A.I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
35.
Gate bias induced heating effect and implications for the design of deep submicron ESD protection
机译:
栅极偏置引起的热效应及其对深亚微米ESD保护设计的影响
作者:
Kwang-Hoon Oh
;
Duvvury C.
;
Banerjee K.
;
Dutton R.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
36.
High speed silicon lateral trench detector on SOI substrate
机译:
SOI衬底上的高速硅横向沟槽检测器
作者:
Min Yang
;
Schaub J.
;
Rogers D.
;
Ritter M.
;
Rim K.
;
Welser J.
;
Byeongju Park
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
37.
High-fill-factor, burst-frame-rate charge-coupled device
机译:
高填充率,突发帧率电荷耦合器件
作者:
Reich R.K.
;
OMara D.M.
;
Young D.J.
;
Loomis A.H.
;
Rathman D.D.
;
Craig D.M.
;
Watson S.A.
;
Ulibarri M.D.
;
Kosicki B.B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
38.
Highly stable SOI technology to suppress floating body effect for high performance CMOS device
机译:
高度稳定的SOI技术可抑制高性能CMOS器件的浮体效应
作者:
Hee Sung Kang
;
Young-Wug Kim
;
Kong-Soo Chung
;
Ki Mum Nam
;
Kumjong Bae
;
Nae-In Lee
;
Chang-Bong Oh
;
Kwang Il Kim
;
Sungbae Park
;
Kwang-Pyuk Suh
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
|
2001年
39.
Impact of quantum mechanical effects on design of nano-scale narrow channel n- and p-type MOSFETs
机译:
量子力学效应对纳米级窄沟道n型和p型MOSFET设计的影响
作者:
Majima H.
;
Saito Y.
;
Hiramoto T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
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2001年
40.
Integration of porous ultra low-k dielectric with CVD barriers
机译:
多孔超低k电介质与CVD势垒的集成
作者:
Mosig K.
;
Cox H.
;
Klawuhn E.
;
Suwwan de Felipe T.
;
Shiota A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
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2001年
41.
Investigations of stress sensitivity of 0.12 CMOS technology using process modeling
机译:
使用过程建模研究0.12 CMOS技术的应力敏感性
作者:
Senez V.
;
Hoffmann T.
;
Robilliart E.
;
Bouche G.
;
Jaouen H.
;
Lunenborg M.
;
Carnevale G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
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2001年
42.
Localized heating effects and scaling of sub-0.18 micron CMOS devices
机译:
0.18微米以下CMOS器件的局部加热效应和缩放
作者:
Pop E.
;
Banerjee K.
;
Sverdrup P.
;
Dutton R.
;
Goodson K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
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2001年
43.
Modeling of end-of-range (EOR) defects for indium channel engineering
机译:
铟通道工程的范围终点(EOR)缺陷建模
作者:
Noda T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
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2001年
44.
Novel GaN-based MOS HFETs with thermally oxidized gate insulator
机译:
具有热氧化栅绝缘体的新型GaN基MOS HFET
作者:
Inoue K.
;
Ikeda Y.
;
Masato H.
;
Matsuno T.
;
Nishii K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
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2001年
45.
Real impact of W/WNx/Poly-Si gate stack in volume production of high density DRAM
机译:
W / WNx /多晶硅栅堆叠对高密度DRAM批量生产的实际影响
作者:
Il-Gweon Kim
;
Nam-Sung Kim
;
Jun-Ho Choy
;
Byung-Hak Lee
;
Yong-Gue Sung
;
Jong-Hwan Kim
;
Jin-Hee Cho
;
Dong-Chan Kim
;
Kee-Soo Kim
;
Jo-Bong Choi
;
Se-Kyoung Choi
;
Young-Woo Kweon
;
Ho-Yup Kwon
;
Dae-Guy Park
;
Joo-Seog Park
;
Dae-Young Park
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
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2001年
46.
Trenched sinker LDMOSFET (TS-LDMOS) structure for high power amplifier application above 2 GHz
机译:
沟槽下沉式LDMOSFET(TS-LDMOS)结构,适用于2 GHz以上的高功率放大器应用
作者:
Cheon Soo Kim
;
Joung-Woo Park
;
Hyun Kyu Yu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
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2001年
47.
Carbon nanotube field effect transistors for logic applications
机译:
用于逻辑应用的碳纳米管场效应晶体管
作者:
Martel R.
;
Wong H.-S.P.
;
Chan K.
;
Avouris P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
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2001年
48.
COB stack DRAM cell technology beyond 100 nm technology node
机译:
超越100 nm技术节点的COB堆栈DRAM单元技术
作者:
Yongjik Park
;
Kinam Kim
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
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2001年
49.
Impact of charging damage on negative bias temperature instability
机译:
充电损坏对负偏压温度不稳定性的影响
作者:
Krishnan A.T.
;
Reddy V.
;
Krishnan S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
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2001年
50.
Integrated antennas on Si, proton-implanted Si and Si-on-quartz
机译:
硅,质子注入硅和石英硅上的集成天线
作者:
Chan K.T.
;
Chin A.
;
Chen Y.B.
;
Lin Y.-D.
;
Duh T.S.
;
Lin W.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
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2001年
51.
On the gate oxide scaling of high performance CMOS transistors
机译:
高性能CMOS晶体管的栅极氧化物定标
作者:
Song S.
;
Kim H.
;
Yoo J.Y.
;
Yi J.H.
;
Kim W.S.
;
Lee N.I.
;
Fujihara K.
;
Kang H.-K.
;
Moon J.T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
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2001年
52.
3D analytical subthreshold and quantum mechanical analyses of double-gate MOSFET
机译:
双栅极MOSFET的3D分析亚阈值和量子力学分析
作者:
Gen Pei
;
Narayanan V.
;
Zengtao Liu
;
Kan E.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
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2001年
53.
Properties of Ru-Ta alloys as gate electrodes for NMOS and PMOS silicon devices
机译:
Ru-Ta合金作为NMOS和PMOS硅器件栅电极的性能
作者:
Huicai Zhong
;
Shin-Nam Hong
;
You-Seok Suh
;
Lazar H.
;
Heuss G.
;
Misra V.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
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2001年
54.
Strong and efficient light emission in ITO/Al/sub 2/O/sub 3/ superlattice tunnel diode
机译:
ITO / Al / sub 2 / O / sub 3 /超晶格隧道二极管中的强大而高效的发光
作者:
Chin A.
;
Liang C.S.
;
Lin C.Y.
;
Wu C.C.
;
Liu J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》
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2001年
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