Vanderbilt University.;
机译:纳米级PMOS器件中源/漏偏置引起的异常负偏置温度不稳定性下降
机译:应变SiGe pMOSFET的负偏置温度不稳定性特征
机译:高温栅极偏置和总电离剂量对1.2 kV SiC器件的协同效应
机译:MOSFET器件中电离辐射效应与负偏压温度不稳定性(NBTI)之间的相似性
机译:二氧化硅和基于等离子体氮化的氧化物的pMOSFET的负偏置温度不稳定性所涉及的原子尺度缺陷。
机译:γ射线总电离剂量(TID)对Ag / AlO转换行为的影响X/ Pt RRAM设备
机译:电离辐射环境中的PMOS负偏置温度不稳定性