法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 1/24 授权公告日:20131211 终止日期:20171209 申请日:20101209
专利权的终止
2013-12-11
授权
授权
2013-12-11
授权
授权
2012-11-14
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F1/24 申请日:20101209
实质审查的生效
2012-11-14
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/24 申请日:20101209
实质审查的生效
2012-09-19
公开
公开
2012-09-19
公开
公开
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机译: 具有用于反射层的EUV光刻技术,用于反射掩模坯料的EUV光刻技术,用于反射掩模的EUV光刻技术,以及具有反射层的衬底的制造方法。
机译: 用于EUV光刻的带反射层的基板,用于EUV光刻的反射掩模坯,用于EUV光刻的反射掩模以及用于生产带反射层的基板的方法
机译: 用于EUV光刻基板的反射层,EUV光刻反射掩模坯料,EUV光刻反射掩模以及制造具有该反射层基板的方法