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III族氮化物半导体激光二极管及III族氮化物半导体激光二极管的制作方法

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本发明提供一种III族氮化物半导体激光二极管，其具有能够提供较高的光限制及载流子限制的覆层。在(20-21)面GaN衬底(71)上，以产生晶格弛豫的方式生长n型Al

著录项

公开/公告号CN102422497B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-09-18

原文格式PDF
申请/专利权人住友电气工业株式会社;
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申请/专利号CN201080020695.X
发明设计人盐谷阳平;善积祐介;京野孝史;秋田胜史;上野昌纪;住友隆道;中村孝夫;
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申请日2010-02-26
分类号
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人王海川
地址日本大阪府大阪市
入库时间 2022-08-23 09:15:48

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-04-12

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/343 授权公告日:20130918 终止日期:20160226 申请日:20100226

专利权的终止
2013-09-18

授权

授权
2012-05-30

实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/343 申请日:20100226

实质审查的生效
2012-04-18

公开

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