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Silicon carbide and related materials 1995
Silicon carbide and related materials 1995
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1.
Nickel and molybdenum ohmic contacts on silicon carbide
机译:
碳化硅上的镍和钼欧姆接触
作者:
C.ARNODO
;
S.TYC
;
F.WYCZISK
;
C.BRYLINSKI
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
2.
Anisotropy in thermal oxidation of 6H-SiC
机译:
6H-SiC热氧化的各向异性
作者:
Norihito Tokura
;
Kazukuni Hara
;
Yuichi Takeuchi
;
Takeshi Miyajima
;
Kunihiko Hara
会议名称:
《》
|
1995年
3.
Oxidation of polycrystallinc SiC films
机译:
多晶SiC薄膜的氧化
作者:
K Kamimura
;
T Kuroda
;
T Ogawa
;
M Nakao
;
Y Onuma
;
S Todoroki
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
4.
Recent progress in epitaxial growth of SiC for power device applications
机译:
功率器件用SiC外延生长的最新进展
作者:
E. Janzen
;
O. Kordina
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
5.
Aluminium doped 6H SiC: CVD growth and formation of ohmic contacts
机译:
铝掺杂的6H SiC:CVD生长和欧姆接触的形成
作者:
N. Nordell
;
S. Savage
;
A. Schoner
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
6.
Nitrogen - acceptor pairs in n-type 4H - silicon carbide observed by the perturbed angular correlation spectroscopy
机译:
摄动角相关光谱法观察n型4H碳化硅中的氮受体对。
作者:
T. LICHT
;
N. ACHTZIGER
;
D. FORKEL-WIRTH
;
U. REISLOHNER
;
M. RUEB
;
M. UHRMACHER
;
W. WITTHUHN
;
ISOLDE COLLABORATION
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
7.
Heteroepitaxial growth of β-SiC thin films on Si(100) substrate using a new source material: bis-trimethylsilylmethane
机译:
使用新的原材料:双三甲基甲硅烷基甲烷在Si(100)衬底上异质外延生长β-SiC薄膜
作者:
Wook Bahng
;
Hyeong Joon Kim
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
8.
Local vibrational modes associated with impurity- complexes in cubic SiC
机译:
立方SiC中与杂质配合物相关的局部振动模式
作者:
P. J. Lin-Chung
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
9.
Polycrystalline SiC thin films prepared by microwave plasma chemical vapor deposition
机译:
微波等离子体化学气相沉积制备多晶SiC薄膜
作者:
So Yonekubo
;
Kiichi Kamimura
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
10.
The temperature dependence of the band-edge luminescence from high quality 6H- and 4H-SiC
机译:
高质量6H-和4H-SiC的带边发光的温度依赖性
作者:
A Henry
;
J P Bergman
;
O Kordina
;
C Hallin
;
I G Ivanov
;
E Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
11.
The stability of 6H-SiC MOS capacitors at high temperature
机译:
6H-SiC MOS电容器在高温下的稳定性
作者:
Noboru Yamada
;
Hiroo Fuma
;
Hiroshi Tadano
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
12.
High-quality GaN grown directly on SiC by halide vapour phase epitaxy
机译:
通过卤化物气相外延直接在SiC上生长的高质量GaN
作者:
Yu V Melnik
;
I P Nikitina
;
A S Zubrilov
;
A A Sitnikova
;
Yu G Musikhin
;
V A Dmitriev
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
13.
The negative temperature coefficient of the breakdown voltage of SiC p-n structures and deep centers in SiC
机译:
SiC p-n结构和SiC深中心击穿电压的负温度系数
作者:
A.A.Lebedev
;
A.M.Strelchuk
;
S.Ortolland
;
C.Raynaud
;
M.L. Locatelli
;
D.Planson
;
J P. Chante
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
14.
Avalanche light-emitting diodes based on silicon carbide
机译:
基于碳化硅的雪崩发光二极管
作者:
S F Avramenko
;
E N Kalabukhova
;
V S Kiselev
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
15.
Epitaxial growth of GaN films on silicon substrates by MOVPE
机译:
MOVPE在硅衬底上外延生长GaN膜
作者:
Ken-ichi YOKOUCHI
;
Tomokazu ARAKI
;
Takao NAGATOMO
;
Osamu OMOTO
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
16.
Some aspects of using IR reflection spectroscopy for diagnostics of SiC structures and related semiconductor materials
机译:
使用红外反射光谱法诊断SiC结构和相关半导体材料的某些方面
作者:
A V Goncharenko
;
E F Venger
;
S I Vlaskina
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
17.
The effect of atmospheric and HIP annealing on spectral response of 3C-SiC pn photodiode
机译:
大气和HIP退火对3C-SiC pn光电二极管光谱响应的影响
作者:
Y.Hirabayashi
;
S.Misawa
;
S.Yoshida
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
18.
Room temperature 1.54 μm electroluminescence from Erbium implanted 6H SiC
机译:
Er注入6H SiC的室温1.54μm室温电致发光
作者:
M. Yoganathan
;
W. J. Choyke
;
R. P. Devaty
;
G. Pensl
;
J. A. Edmond
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
19.
Ga bound excitons in 3C, 4H and 6H-SiC
机译:
3C,4H和6H-SiC中Ga结合的激子
作者:
A Henry
;
C Hallin
;
I G Ivanov
;
J P Bergman
;
O Kordina
;
E Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
20.
Mechanism of optical detection of cyclotron resonance in SiC
机译:
SiC中回旋共振光学检测的机理
作者:
N.T. Son
;
E. Soerman
;
W.M. Chen
;
J.P. Bergman
;
C. Hallin
;
O. Kordina
;
A.O. Konstantinov
;
B. Monemar
;
D.M. Hofman
;
D. Volm
;
B.K. Meyer
;
E. Janzgn
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
21.
The guard-ring termination for 6H-SiC Schottky barrier diodes
机译:
6H-SiC肖特基势垒二极管的保护环终端
作者:
K.Ueno
;
T.Urushidani
;
K.Hashimoto
;
Y.Seki
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
22.
High voltage (450 V) 6H-SiC substrate gate JFET (SG-JFET)
机译:
高压(450 V)6H-SiC衬底栅极JFET(SG-JFET)
作者:
Dev Alok
;
B.J. Baliga
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
23.
4H-SiC field-effect transistor hetero-epitaxially grown on 6H-SiC substrate by sublimation
机译:
通过升华在6H-SiC衬底上异质外延生长4H-SiC场效应晶体管
作者:
P A Ivanov
;
A A Maltsev
;
V N Panteleev
;
T P Samsonova
;
A Yu Maksimov
;
N K Yushin
;
V E Chelnokov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
24.
Raman spectroscopy of CVD-grown 4H-SiC epilayers
机译:
CVD生长的4H-SiC外延层的拉曼光谱
作者:
R. Hu
;
C.C. Tin
;
Z.C. Feng
;
J. Liu
;
Y. Vohra
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
25.
SiC microwave power transistors
机译:
SiC微波功率晶体管
作者:
R.R. Siergiej
;
S. Sriram
;
R.C. Clarke
;
A.K. Agarwal
;
C.D. Brandt
;
A.A. Burk Jr.
;
T.J. Smith
;
A. Morse
;
P.A. Orphanos
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
26.
Barrier height analysis of metal/4H-SiC Schottky contacts
机译:
金属/ 4H-SiC肖特基接触的势垒高度分析
作者:
Akira ITOH
;
Osamu TAKEMURA
;
Tsunenobu KIMOTO
;
Hiroyuki MATSUNAMI
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
27.
Identification of optically and electrically active molybdenum trace impurities in 6H-SiC substrates
机译:
鉴定6H-SiC衬底中的光学和电活性钼痕量杂质
作者:
M Kunzer
;
K F Dombrowski
;
F Fuchs
;
U Kaufmann
;
J Schneider
;
P G Baranov
;
E N Mokhov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
28.
Impurities in 4H and 6H SiC crystals, characterized by thermoluminescence and thermally stimulated conductivity
机译:
4H和6H SiC晶体中的杂质,其特征在于热致发光和热激发的电导率
作者:
Th. Stiasny
;
R. Helbig
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
29.
Ti Ohmic contact without post-annealing process to n-type 6H-SiC
机译:
Ti欧姆接触,无需后退火工艺即可获得n型6H-SiC
作者:
T. Teraji
;
S. Hara
;
H. Okushi
;
K. Kajimura
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
30.
Vapor phase homoepitaxial growth of 6H and 4H silicon carbide
机译:
6H和4H碳化硅的汽相同质外延生长
作者:
A A Burk Jr.
;
L B Rowland
;
A K Agarwal
;
S Sriram
;
R C Glass
;
C D Brandt
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
31.
Growth of epitaxially oriented silicon carbide on silicon by laser ablation of carbon targets and the structure of the silicon-silicon carbide interface
机译:
通过碳靶的激光烧蚀以及硅-碳化硅界面的结构在硅上生长外延取向的碳化硅
作者:
L. Rimai
;
R. Ager
;
J. Hangas
;
A. Saminan
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
32.
Investigation of polymorphism and domain distribution in SiC wafers by simple and high resolution x-ray diffraction
机译:
通过简单高分辨率X射线衍射研究SiC晶片中的多态性和畴分布
作者:
A Ellison
;
J Di Persio
;
C Brylinski
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
33.
X-ray topographic studies of α-SiC single crystalline ingots grown by the sublimation method
机译:
升华法生长α-SiC单晶锭的X射线形貌研究
作者:
Jun Takahashi
;
Noboru Ohtani
;
Masatoshi Kanaya
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
34.
Comparison of aluminum- and boron-implanted vertical 6H-SiC p~+n junction diodes
机译:
铝和硼注入的垂直6H-SiC p〜+ n结二极管的比较
作者:
N. Ramungul
;
V. Khemka
;
R. Tyagi
;
T.P. Chow
;
M. Ghezzo
;
P.G. Neudeck
;
J. Kretchmer
;
W. Hennessy
;
D.M. Brown
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
35.
Fabrication of low resistivity n-type 6H and 4H SiC substrates by the sublimation growth
机译:
通过升华生长制备低电阻率n型6H和4H SiC衬底
作者:
K. Onoue
;
T. Nishikawa
;
M. Katsuno
;
N. Ohtani
;
H. Yashiro
;
M. Kanaya
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
36.
Effect of tilt angle on the morphology of SiC epitaxial films grown on vicinal (0001)SiC substrates
机译:
倾斜角对在相邻(0001)SiC衬底上生长的SiC外延膜的形貌的影响
作者:
J. A. Powell
;
D. J. Larkin
;
P. B. Abel
;
L. Zhou
;
P. Pirouz
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
37.
Electronic band structure of 15R SiC
机译:
15R SiC的电子能带结构
作者:
G Wellenhofer
;
U Roessler
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
38.
Defects of 6H-SiC substrates made by Acheson's method and by modified Lely's method
机译:
Acheson法和改进的Lely法制造的6H-SiC衬底的缺陷
作者:
T. Kato
;
H. Ohsato
;
M. Razeghi
;
T. Okuda
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
39.
Atomic structure of the 3C-SiC(001) surface reconstructions
机译:
3C-SiC(001)表面重建的原子结构
作者:
Makoto Kitabatake
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
40.
Ionicity of SiC polytypes
机译:
SiC多晶型的离子性
作者:
G Wellenhofer
;
K Karch
;
P Pavone
;
U Roessler
;
D Strauch
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
41.
Epitaxial growth of 3C-SiC(111) on Si wafer from tetramethylsilane by rapid thermal chemical vapor deposition : growth mechanism
机译:
快速热化学气相沉积法从四甲基硅烷在硅片上外延生长3C-SiC(111):生长机理
作者:
Y. H. Seo
;
K. S. Nahm
;
E. K. Suh
;
II. J. Lee
;
Y. G. Hwang
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
42.
Electronic structure of SiC/TiC interfaces
机译:
SiC / TiC界面的电子结构
作者:
Sergey N Rashkeev
;
Walter R L Lambrecht
;
Benjamin Segall
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
43.
Electronic properties of semi-insulating vanadium-doped 6H-SiC
机译:
半绝缘掺杂钒的6H-SiC的电子性能
作者:
W.C. Mitchel
;
M. D. Roth
;
A. O. Evwaraye
;
P. W. Yu
;
S. R. Smith
;
J. Jenny
;
M. Skowronski
;
H. McD. Hobgood
;
R. C. Glass
;
G. Augustine
;
R. H. Hopkins
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
44.
Theoretical consideration of Si-droplets and graphite inclusions formation during chemical vapor deposition of SiC epitaxial layers
机译:
SiC外延层化学气相沉积过程中Si液滴和石墨夹杂物形成的理论考虑
作者:
S. Yu. Karpov
;
Yu. N. Makarov
;
M. S. Ramm
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
45.
Determination of the conduction band discontinuity in an n-type 3C-SiC/6H-SiC heterojunction
机译:
n型3C-SiC / 6H-SiC异质结中导带不连续性的确定
作者:
S.R. Smith
;
A.O. Evwaraye
;
A.J. Steckl
;
C. Yuan
;
W.C. Mitchel
;
M.D. Roth
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
46.
Optical and magnetic resonance studies of as-grown and electron-irradiated SiC epilayers
机译:
生长和电子辐照的SiC外延层的光学和磁共振研究
作者:
N.T. Son
;
E. Soerman
;
M. Singh
;
W.M. Chen
;
C. Hallin
;
O.Kordina
;
B. Monemar
;
J.L. Lindstroem
;
E. Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
47.
The role of residual impurities in SiC grown by physical vapor transport
机译:
残留杂质在通过物理气相传输生长的SiC中的作用
作者:
R. C. Glass
;
G. Augustine
;
V. Balakrishna
;
H. McD. Hobgood
;
R. H. Hopkins
;
J. Jenny
;
M. Skowronski
;
W.J. Choyke
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
48.
Characterization of structural and electrical properties in SiC by Raman spectroscopy
机译:
用拉曼光谱表征SiC中的结构和电性能
作者:
S. Nakashima
;
H.Harima
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
49.
Sublimation growth of 6H-SiC bulk
机译:
6H-SiC块体的升华生长
作者:
N.Takanaka
;
S.Nishino
;
J.Saraie
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
50.
Growth kinetics of various vapor-grown SiC
机译:
各种气相生长SiC的生长动力学
作者:
Tsutomu Kaneko
;
Hayato Sone
;
Nobuaki Miyakawa
;
Mitihiro Naka
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
51.
Sublimation growth of cubic SiC bulk
机译:
立方SiC块体的升华生长
作者:
T.Yoshikawa
;
S.Nishino
;
J.Saraie
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
52.
Electron paramagnetic resonance of deep boron in SiC
机译:
SiC中深硼的电子顺磁共振
作者:
P G Baranov
;
E.N.Mokhov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
53.
Prospects for development of SiC power devices
机译:
SiC功率器件的发展前景
作者:
B. Jayant Baliga
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
54.
Recent progress of crystal growth, conductivity control and light emitters of column-Ill nitrides, and future prospect of nitride-based laser diode
机译:
III族氮化物的晶体生长,电导率控制和发光体的最新进展以及基于氮化物的激光二极管的未来前景
作者:
Isamu Akasaki
;
Hiroshi Amano
;
Ikuo Suemune
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
55.
The buffer layer in RTCVD of SiC
机译:
SiC RTCVD中的缓冲层
作者:
V Cimalla
;
J Pezoldt
;
G Ecke
;
G Eichhorn
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
56.
3C-SiC(001)/Si(001) interface formation by carbonization : simulations and experiments
机译:
碳化形成3C-SiC(001)/ Si(001)的界面:模拟和实验
作者:
Makoto Kitabatake
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
57.
Highly nitrogen doped 3C-SiC grown by liquid phase epitaxy
机译:
液相外延生长高氮掺杂3C-SiC
作者:
A E Nikolaev
;
I P Nikitina
;
V A Dmitriev
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
58.
4H-SiC single crystal ingots grown on 6H-SiC and 15R-SiC seeds
机译:
在6H-SiC和15R-SiC晶种上生长的4H-SiC单晶锭
作者:
A A Maltsev
;
A Yu Maksimov
;
N K Yushin
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
59.
Control of the rate-determining step of the silicon carbide sublimation growth
机译:
碳化硅升华生长速率确定步骤的控制
作者:
M. Tuominen
;
R. Yakimova
;
A. S. Bakin
;
I. G. Ivanov
;
A. Henry
;
A. Vehanen
;
E. Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
60.
Characterization of defects in hot-implanted 3C-SiC epitaxially grown on Si
机译:
Si上外延生长的热注入3C-SiC中缺陷的表征
作者:
Hisayoshi Itoh
;
Yasushi Aoki
;
Takeshi Ohshima
;
Masahito Yoshikawa
;
Isamu Nashiyama
;
Hajime Okumura
;
Sadafumi Yoshida
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
61.
Interface chemistry and electrical properties of annealed Ni and Ni/Al-6H SiC structures
机译:
退火Ni和Ni / Al-6H SiC结构的界面化学和电学性质
作者:
C.Hallin
;
R.Yakimova
;
V.Krastev
;
Ts.Marinova
;
E.Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
62.
The influence of dry cleaning techniques on thermal oxides grown on 4H and 6H p-type SiC
机译:
干洗工艺对4H和6H p型SiC上生长的热氧化物的影响
作者:
C.-M. Zetterling
;
C. I. Harris
;
M. Ostling
;
V. V. Afanasev
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
63.
A method of preparation of highly perfect 6H-SiC surfaces
机译:
制备高度完美的6H-SiC表面的方法
作者:
E. Ducke
;
R. Kriegel
;
A. Fissel
;
U. Kaiser
;
B. Schroeter
;
P. Mueller
;
W. Richter
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
64.
The photoelectrocheimcal (pec) etching of α and β silicon carbide (SiC) and its characterization
机译:
α和β碳化硅(SiC)的光电(PEC)蚀刻及其表征
作者:
D M. Collins
;
G. L. Harris
;
D. Zhang
;
K. Wongchotigul
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
65.
Organic boron compounds as novel boron sources for p- doping of SiC-epilayers. Incorporation and characteriza- tion
机译:
有机硼化合物是用于SiC外延层p掺杂的新型硼源。结合和表征
作者:
R. A. Stein
;
R. Rupp
;
K. O. Dohnke
;
J. Voelkl
;
D. Stephani
;
C. Haessler
;
G. Pensl
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
66.
Al and N ion implantations in 6H-SiC
机译:
6H-SiC中的Al和N离子注入
作者:
M.V. Rao
;
J. Gardner
;
O.W. Holland
;
G. Kelner
;
M. Ghezzo
;
D.S. Simons
;
P.H. Chi
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
67.
Hot implantation of N~+ into α-SiC epilayers
机译:
N〜+热注入到α-SiC外延层中
作者:
N Inoue
;
A Itoh
;
T Kimoto
;
H Matsunami
;
T Nakata
;
M Watanabe
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
68.
Chemical vapor deposition of 3C-SiC on Si(100) from methyltrichlorosilane and methyltribromosilane
机译:
从甲基三氯硅烷和甲基三溴硅烷在Si(100)上化学气相沉积3C-SiC
作者:
T. Kunstmann
;
S. Veprek
;
H. Schmidbaur
;
A. Bauer
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
69.
Determination of the core nature of partial dislocations in indentation-deformed 3C-SiC
机译:
压痕变形3C-SiC中部分位错核心性质的确定
作者:
X J Ning
;
P Pirouz
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
70.
Epitaxial growth of β-SiC by tetramethylsilane supersonic free jets: precursor control effects
机译:
四甲基硅烷超音速自由射流外延生长β-SiC:前体控制效应
作者:
Y. Ikoma
;
F. Watanabe
;
T. Motooka
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
71.
Growth of III-V nitrides by ECR-assisted MBE and fabrication of opto-electronic devices
机译:
通过ECR辅助MBE生长III-V氮化物和制造光电器件
作者:
T.D Moustakas
;
R.P. Vaudo
;
R. Singh
;
D. Korakakis
;
M. Misra
;
A Sampath
;
I.D. Goepfert
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
72.
Preparation of SiC thin film thermistor by hot wall epitaxy
机译:
热壁外延制备SiC薄膜热敏电阻
作者:
K.Muramatsu
;
T.Sakamoto
;
M. Asakura
;
K.Hasegawa
;
N.Yamada
;
S.Nakashima
;
A.Ishida
;
H.Kuwabara
;
Y.Nakanishi
;
H. Fujiyasu
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
73.
Dependence of the aluminium ionization energy on doping concentration and compensation in 6H-SiC
机译:
铝离子化能量对6H-SiC中掺杂浓度和补偿的依赖性
作者:
A.Schoener
;
N.Nordell
;
K.Rottner
;
R.Helbig
;
G.Pensl
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
74.
In situ p- and n-type doping of low-temperature grown β- SiC epitaxial layers on silicon
机译:
硅上低温生长的β-SiC外延层的原位p型和n型掺杂
作者:
H. Moeller
;
G. Kroetz
;
W. Legner
;
Ch. Wagner
;
G. Mueller
;
L. Smith
;
B. Leese
;
A. Jones
;
S. Rushworth
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
75.
Investigation of optical properties of InN grown by atomic layer epitaxy
机译:
原子层外延生长InN的光学性质研究
作者:
T. Inushima
;
T. Yaguchi
;
A. Nagase
;
A. Iso
;
T. Shiraishi
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
76.
Effects of vertical strong field electron transport in silicon carbide superlattice
机译:
垂直强场电子传输在碳化硅超晶格中的作用
作者:
V I Sankin
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
77.
Photoacoustic studies of SiC polytypes
机译:
SiC多晶型的光声研究
作者:
A.C. de Oliveira
;
J.A. Freitas Jr.
;
W.J. Moore
会议名称:
《》
|
1995年
78.
Growth of cubic SiC on Si substrate by CVD using hexamethyldisilane and hexachlorodisilane
机译:
使用六甲基乙硅烷和六氯乙硅烷通过CVD在Si衬底上生长立方SiC
作者:
S.Sano
;
S.Nishino
;
J.Saraie
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
79.
High dose co-implantation of aluminium and nitrogen in 6H-silicon carbide
机译:
6H-碳化硅中铝和氮的高剂量共注入
作者:
V Heera
;
J Pezoldt
;
X J Ning
;
P Pirouz
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
80.
Reactive ion etching of 6H-SiC using NF_3
机译:
使用NF_3的6H-SiC反应离子刻蚀
作者:
J. B. Casady
;
E. D. Luckowski
;
M. Bozack
;
D. Sheridan
;
R. W. Johnson
;
J. R. Wiliiams
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
81.
Oxidation kinetics of 3C, 4H, and 6H silicon carbide
机译:
3C,4H和6H碳化硅的氧化动力学
作者:
A. Goelz
;
G. Horstmann
;
E. Stein von Kamienski
;
H. Kurz
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
82.
Mechanisms limiting current gain in SiC bipolar junction transistors
机译:
限制SiC双极结型晶体管电流增益的机制
作者:
Y. Wang
;
W. Xie
;
J. A. Cooper Jr.
;
M. R. Melloch
;
J. W. Palmour
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
83.
4H-silicon carbide power switching devices
机译:
4H碳化硅电源开关装置
作者:
J W Palmour
;
S T Allen
;
R Singh
;
L A. Lipkin
;
D G Waltz
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
84.
Static and dynamic properties of 4.5 kV MOSFETs in 4H and 6H SiC - simulation study
机译:
4.5H MOSFET在4H和6H SiC中的静态和动态特性-仿真研究
作者:
U. Gustafsson
;
M. Bakowski
;
U. Lindefelt
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
85.
Advances in SiC materials and devices for high frequency applications
机译:
用于高频应用的SiC材料和设备的进展
作者:
C.D. Brandt
;
A.K. Agarwal
;
G. Augustine
;
R.R. Barron
;
A.A. Burk Jr.
;
R.C. Clarke
;
R.C. Glass
;
H.M. Hobgood
;
A.W. Morse
;
L.B. Rowland
;
S. Seshadri
;
R.R. Siergiej
;
T.J. Smith
;
S. Sriram
;
M.C. Driver
;
R.H. Hopkins
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
86.
Defect centers in ion-implanted 4H silicon carbide
机译:
离子注入4H碳化硅中的缺陷中心
作者:
T.Dalibor
;
C.Peppermueller
;
G.Pensl
;
S.Sridhara
;
R.P.Devaty
;
W.J.Choyke
;
A.Itoh
;
T.Kimoto
;
H.Matsunami
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
87.
Silicon carbide-based detection of hydrogen and hydrocarbons
机译:
基于碳化硅的氢和碳氢化合物检测
作者:
Gary W. Hunter
;
Philip G. Neudeck
;
Liang-Yu Chen
;
Dak Knight
;
C. C. Liu
;
Q. H. Wu
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
88.
Argon implanted SiC device edge termination : modelling, analysis and experimental results
机译:
氩注入SiC器件边缘终端:建模,分析和实验结果
作者:
Dev Alok
;
B.J. Baliga
;
M Kothandaraman
;
P.K. McLarty
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
89.
RBS spectra of InN films grown on sapphire substrate
机译:
在蓝宝石衬底上生长的InN膜的RBS光谱
作者:
Hyuk Joo Kwon
;
Akira Yoshida
;
Setsuo Nakao
;
Kazuo Saitoh
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
90.
The mechanism of cubic SiC nucleation on off-axis substrates
机译:
离轴基体上立方SiC成核的机理
作者:
C Hallin
;
A O Konstantinov
;
O Kordina
;
E Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
91.
High-resistivity epitaxial films of 4H-SiC doped by scandium
机译:
scan掺杂的4H-SiC高阻外延膜
作者:
A A Maltsev
;
D P Litvin
;
M P Scheglov
;
I P Nikitina
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
92.
Development of nonvolatile random access memories in 6H-SiC
机译:
6H-SiC中非易失性随机存取存储器的开发
作者:
W. Xie
;
Y. Wang
;
M. R. Melloch
;
J. A. Cooper Jr.
;
G. M. Johnson
;
L. A. Lipkin
;
J. W. Palmour
;
C. H. Carter Jr.
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
93.
The state of SiC:GaN-based blue LEDs
机译:
SiC:GaN基蓝色LED的状态
作者:
John Edmond
;
Hua-Shuang Kong
;
Michelle Leonard
;
Gary Bulman
;
Gerry Negley
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
94.
Degradation mechanisms of AlGaN/InGaN/GaN blue light emitting diodes
机译:
AlGaN / InGaN / GaN蓝色发光二极管的降解机理
作者:
M Osinski
;
D L Barton
;
J Zeller
;
P C Chiu
;
B S Phillips
;
C J Helms
;
N Berg
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
95.
Two-level model of D-center defects in 6H-SiC
机译:
6H-SiC中D中心缺陷的两级模型
作者:
Michael S. Mazzola
;
Stephen E. Saddow
;
C. Wesley Tipton
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
96.
Surface reconstructions of 6H-SiC(0001) studied with scanning tunneling microscopy and core-level photo- electron spectroscopy
机译:
6H-SiC(0001)的表面重建用扫描隧道显微镜和核心能级电子光谱学研究
作者:
F. Owman
;
L. I. Johansson
;
P. Martensson
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
97.
Dep level study of as-grown and ion implanted bulk and MOCVD grown epitaxial 6H-SiC
机译:
生长和离子注入的块体以及MOCVD生长的外延6H-SiC的深层研究
作者:
J.D. Scofield
;
Y.K. Yeo
;
Y.K. Yeo
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
98.
Etching characterization of a 6H-SiC single crystal grown by the sublimation method
机译:
升华法生长6H-SiC单晶的刻蚀特性
作者:
K Koga
;
T Kano
;
K Yagi
;
K Yodoshi
;
T Niina
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
99.
Growth of zincblende GaN films by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition
机译:
电子回旋共振等离子体生长闪锌矿GaN膜增强化学气相沉积
作者:
K. Yasui
;
H. Yoshida
;
T. Harada
;
T. Akahane
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
100.
Structural and optical characterization of GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
通过金属有机化学气相沉积法生长的GaN薄膜的结构和光学特性
作者:
K.Yang
;
R.Zhang
;
B.Shen
;
L.H.Qin
;
Z.Z.Chen
;
Y.D.Zheng
;
Z.C. Huang
;
J.C. Chen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
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