首页> 中国专利> 一种多线切割实现单晶晶体晶向偏离的方法

一种多线切割实现单晶晶体晶向偏离的方法

摘要

本发明公开了一种多线切割实现单晶晶体晶向偏离的方法,包括利用X射线晶体衍射仪测试待测单晶硅棒的晶向值,计算待测单晶硅棒晶向偏离度,确定偏移方向和计算偏离距离,进行多线切割。利用多线切割将一定长度的单晶硅棒切割成硅片厚度一致,晶向偏离度一致的若干硅片,解决了预先截取切块定向后切割,操作不方便,切割效率低,精准度低,材料损耗大等问题,大大提高了生产效率,提高晶向偏离精准度。

著录项

  • 公开/公告号CN113696358A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安中晶半导体材料有限公司;

    申请/专利号CN202110986962.9

  • 申请日2021-08-26

  • 分类号B28D5/04(20060101);B28D7/00(20060101);G01N23/20(20180101);

  • 代理机构61214 西安弘理专利事务所;

  • 代理人刘娜

  • 地址 710100 陕西省西安市长安区东长安街401号

  • 入库时间 2023-06-19 13:26:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-07

    授权

    发明专利权授予

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号