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公开/公告号CN113696358A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-26
原文格式PDF
申请/专利权人 西安中晶半导体材料有限公司;
申请/专利号CN202110986962.9
发明设计人 李兴鹏;曹榛;苏江涛;张翠芸;师伟;
申请日2021-08-26
分类号B28D5/04(20060101);B28D7/00(20060101);G01N23/20(20180101);
代理机构61214 西安弘理专利事务所;
代理人刘娜
地址 710100 陕西省西安市长安区东长安街401号
入库时间 2023-06-19 13:26:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-07
授权
发明专利权授予
机译: 一种用于在较大的单晶或zn,cd,hg硫属元素化物的硫族化物晶体层或晶体层中实现吸收能量和光电流之间的某种功能的方法
机译: 用于碳化硅单晶生长的种子晶体,制备晶种的方法,碳化硅单晶以及制备单晶的方法
机译: 可拉起硅单晶的石英玻璃,一种制造该硅微晶的方法和一种制造硅单晶的方法,可抑制氧化硅气体的产生
机译:通过使用散装晶圆中的单晶硅线,在塑料基板上实现机械柔性薄膜晶体管和逻辑门
机译:一种研究Ni基单晶超合金晶界晶界的定量方法
机译:九州大学材料研究所,开发高质量,低价的单晶硅生长方法,实现了50厘米大的晶体生长,实现了氧浓度小于或等于6 ppm,并扩展到功率器件
机译:单晶非晶/晶体太阳能电池的基材的选择 - 一种模拟研究
机译:一种新的固态NMR方法揭示了链结构和热历史对聚乙烯晶体-非晶界面的影响。
机译:一种生产长单晶的方法以及影响晶体取向和渗透的因素的研究
机译:通过采用电子晶体学和X射线粉末衍射方法的协同多学科方法研究了denisovite,一种纤维状纳米晶多型无序“非常复杂”的硅酸盐结构
机译:硅薄膜准分子激光晶化:用于薄膜晶体管应用的晶界限位和单晶岛材料的人工控制超横向生长