基于台阶状P型CBN与SiC混合结构的4H-SiC二极管及制备方法

摘要

本发明涉及一种基于台阶状P型CBN与SiC混合结构的4H‑SiC二极管，包括：自下而上依次层叠设置的欧姆接触电极、N型SiC衬底层、N型SiC外延层和肖特基接触电极，其中，肖特基接触电极位于N型SiC外延层的中间区域；N型SiC外延层上表面的边缘形成阶梯状环形台阶；N型SiC外延层上表面的中间区域设置有T型凹槽；N型SiC外延层上表面边缘的底层的台阶面上设置有第一P型注入区；N型SiC外延层上表面边缘的中间层和顶层的台阶面上设置有第一P型终端；T型凹槽的外围绕设有第二P型终端；T型凹槽的下方设置有第二P型注入区。本发明的4H‑SiC二极管，提升了中间区域的正向电流导通路径，通过P型氮化硼和碳化硅材料之间的调控，可以提高电场分布均匀性。