一种基于金刚石终端结构的4H-SiC肖特基二极管及制作方法

摘要

本发明涉及一种基于金刚石终端结构的4H‑SiC肖特基二极管及制作方法，该肖特基二极管包括：SiC外延层；有源区，位于SiC外延层的表层中；终端区，位于SiC外延层中且位于有源区的两侧，其中，终端区包括若干第一金刚石终端结构和若干第二金刚石终端结构，若干第一金刚石终端结构间隔排列，若干第二金刚石终端结构间隔排列，且若干第一金刚石终端结构和若干第二金刚石终端结构上下交替分布，若干第一金刚石终端结构与SiC外延层之间、若干第二金刚石终端结构与SiC外延层之间均形成pn结。该肖特基二极管中表面电场被集中逐步引入到器件体内，避免了器件提前击穿现象，提高器件的可靠性，提高了器件在正常的静态特性下的反向耐压能力。