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李宇柱; 倪炜江; 李哲洋; 李赟; 陈辰; 陈效建;
南京电子器件研究所;
单片集成电路和模块国家级重点实验室;
南京210016;
4H碳化硅; 肖特基二极管; 快恢复二极管; 软度;
机译:600 V IGBT加上续流二极管
机译:深度瞬态光谱(DLTS)研究4H-SIC肖特基二极管和PIN二极管的研究
机译:0.9 MeV电子辐照下600V 4H-SiC肖特基二极管的降解
机译:带SiC-肖特基续流二极管的IGBT模块的栅极驱动研究
机译:碳化硅肖特基二极管和p-i-n二极管中缺陷电学特性的研究。
机译:具有4H-SIC肖特基二极管的60-700 k CTAT和PTAT温度传感器
机译:制造600V / 20a 4H-siC肖特基势垒二极管
机译:二极管的单事件威胁 - 它不仅仅是肖特基二极管。
机译:半导体器件和集成有续流二极管的IGBT
机译:带有SiC续流二极管的RC-IGBT
机译:带有续流SiC二极管的RC-IGBT
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