基于ICP‑F离子刻蚀注入一体化高频高阈值GaN基增强型器件的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于ICP‑F离子刻蚀注入一体化的高频高阈值增强型器件的制备方法，主要解决现有工艺不能使用F基等离子体刻蚀AlGaN势垒层的问题。其制作过程包括：在衬底上自下而上依次生长GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；在GaN帽层上制作源、漏电极；光刻出器件的有源区并对样品进行台面隔离；在源、漏电极之间的势垒层上光刻出凹槽栅区域；利用ICP‑F基等离子体刻蚀势垒层形成凹槽；在凹槽上方制作栅电极；将样品置于N2气氛中进行沉积后退火，完成器件制作。本发明能同时获得高的阈值电压和高的频率特性，可用于高速开关、射频集成电路和微波单片集成电路中。