机译:通过电感耦合等离子体(ICP)和器件特性优化准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)的台面蚀刻
GaN; inductively coupled plasma (ICP); mesa; sidewall profile; quasi-vertical; Schottky barrier diode (SBD); dry etch;
机译:使用Cl_2 / BCl_3 / Ar等离子体的电感耦合等离子体台面蚀刻InGaN / GaN发光二极管
机译:低泄漏和高前进电流密度准垂直GaN肖特基势垒二极管,后髓质
机译:高功率和宽带微波检测用四个垂直的GaN肖特基势差二极管通过新的MESA氮化
机译:采用电感耦合等离子体化学气相沉积SiO
机译:激光烧蚀高分辨率电感耦合等离子体质谱(LA-HR-ICP-MS)和高分辨率电感耦合等离子体质谱(HR -ICP -MS)对生物基质的元素分析
机译:GaN基纳米级肖特基势垒二极管中的势垒不均匀性限制了电流和1 / f噪声的传输
机译:低泄漏和高前进电流密度准垂直GaN肖特基势垒二极管,后髓质