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陈敬;
中国电子学会;
广州市科协;
阈值电压; 常关器件; 常断器件; 化合物半导体; 等离子注入; 异质结; 场效应管;
机译:功率循环测试对Al_2O_3 / AlGaN / GaN常开器件栅极下方陷阱的影响
机译:具有嵌入式肖特基势垒二极管的常关AlGaN / GaN-on-Si电源开关器件
机译:低压化学气相沉积Si 3 sub> N 4 sub>栅电介质和标准氟离子注入制备的常关型AlGaN / GaN MIS-高电子迁移率晶体管
机译:GaN HEMT器件:常开,常关和共源共栅配置的实验结果
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:在常开和常关GaN-HEMT功率电子器件上的动态Rdson设置和测量
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:包括常关型晶体管和常开型GaN HEMT的晶体管单元的半导体器件
机译:半导体器件,包括常关型晶体管和常开型GaN HEMT的晶体管单元
机译:GaN基半导体发光器件,发光器件组件,发光器件,用于制造GaN基半导体发光器件的方法,用于GaN基半导体发光器件的驱动方法和图像显示装置
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