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张贤鹏; 韩彦军; 罗毅; 薛小琳; 汪莱; 江洋;
清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室;
氮化镓基发光二极管; 表面微结构; ICP干法刻蚀; 湿法腐蚀;
机译:通过无掩模选择性刻蚀对p-GaN层进行表面纹理化以实现高效GaN LED
机译:通过处理p-GaN表面上的Ar等离子体来增强GaN基LED的输出功率
机译:通过p-GaN的化学刻蚀改善GaN基LED的泄漏电流和光学特性
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:通过在p-GaN表面图案化光子准晶体和n侧侧壁粗糙化来增强GaN基发光二极管的光输出功率
机译:通过P-GaN表面处理AR等离子体处理的GaN基LED输出功率的增强
机译:在清洁的n和p-GaN(0001)表面上的能带弯曲和光发射诱导的表面光伏。
机译:利用蓝宝石刻蚀技术的GaN基LED及其制造方法
机译:基于表面等离子效应的宽带高效GAN基LED芯片及其制造方法
机译:基于表面等离子体效应的宽带宽带GAN基LED芯片及其制造方法
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