通过阳极化埋置p+硅锗层获得的应变绝缘体上硅

摘要

提供一种避免晶片键合的制造应变绝缘体上硅(SSOI)衬底的成本有效和可工艺制造的方法。该方法包括在衬底上生长各种外延半导体层，其中至少一层半导体层是在应变半导体层下方的掺杂且弛豫的半导体层；借助电解阳极化过程将掺杂且弛豫的半导体层转化成多孔半导体；以及氧化将多孔半导体转化成埋置氧化物层。所述方法提供了SSOI衬底，其包括在衬底上的弛豫的半导体层；在该弛豫的半导体层上的高质量埋置氧化物层；以及在该高质量埋置氧化物层上的应变半导体层。根据本发明，弛豫的半导体层和应变半导体层具有相同的晶体学取向。