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黄流兴; 郑茳;
不详;
锗硅应变层; 异质结构; 晶体管;
机译:从应变硅锗亚层的异质结构中逐层三维生长外延锗膜的转变研究
机译:应变硅/应变硅锗异质结构中的硅锗互扩散及其对提高迁移率的金属氧化物半导体场效应晶体管的影响
机译:半太赫兹硅/锗异质结双极技术:基于TCAD的器件架构探索
机译:应变硅层厚度对薄缓冲层应变硅/硅锗异质结构中位错分布和硅锗弛豫的影响
机译:硅锗本体合金和应变硅(1-x)锗(x)/硅(1-y)锗(y)异质结构中的电子g因子工程
机译:HtO2 / TiO2 / HfO2三层结构RRAM器件在原子层沉积制备的Pt和TiN涂层衬底上的双极电阻转换特性
机译:低功率应用中的应变硅锗/硅异质结构隧道FET
机译:用于异质结构光电器件的硅锗和硅锡波导
机译:异质结构FET由硅/硅锗锗异质结构层结构组成,栅接触区形成为由半导体材料制成的pn或np二极管接触
机译:一种集成的硅-锗-异质双极trani栅极和集成的硅-锗异质双极晶体管的生产方法。
机译:绝缘体上的应变硅结构/板的制造方法,涉及使锗层与硅层接触,该锗层的锗浓度为30%,过蚀刻阶段的持续时间低于20秒
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