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纳米部件的掺杂方法，制作场效应晶体管和纳米管场效应晶体管的方法

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摘要

提供了对纳米部件的掺杂方法，包括纳米管、纳米晶体和纳米线，该方法通过将纳米部件暴露于含有机胺的掺杂剂中进行掺杂。也提供了制作包含已经用这样的掺杂剂进行掺杂的纳米部件的场效应晶体管的方法。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-12-12

专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/24 登记生效日:20171122 变更前: 变更后: 申请日:20051114

专利申请权、专利权的转移
2010-02-17

授权

授权
2006-12-06

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-10-04

公开

公开

1. 纳米部件的掺杂方法，制作场效应晶体管和纳米管场效应晶体管的方法 [P] . 中国专利： CN1841664A . 2006-10-04
2. 定向单壁碳纳米管阵列为沟道的场效应晶体管及制作方法 [P] . 中国专利： CN105609636B . 2018.05.08
3. CARBON NANOTUBE COMPOSITE, CARBON NANOTUBE COMPOSITE DISPERSION, CARBON NANOTUBE COMPOSITE-DISPERSED FILM AND FIELD EFFECT TRANSISTOR [P] . 日本专利： JP2011126727A . 2011-06-30

机译：碳纳米管复合材料，碳纳米管复合分散体，碳纳米管复合掺杂的膜和场效应晶体管
4. METHOD OF FABRICATING CARBON NANOTUBE-BASED FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING IMPROVED ADHESIVE STRENGTH WITH RESPECT TO SUBSTRATE, AND CARBON NANOTUBE-BASED FIELD EFFECT TRANSISTOR FABRICATED THEREBY [P] . 韩国专利： KR101402989B1 . 2014-06-11

机译：制备具有相对于基质而言改善的粘合强度的基于碳纳米管的场效应晶体管的方法，以及由此制造的基于碳纳米管的场效应晶体管的方法
5. CARBON NANOTUBE, METHOD FOR POSITIONING THE SAME, FIELD-EFFECT TRANSISTOR MADE USING THE CARBON NANOTUBE, METHOD FOR MAKING THE FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE [P] . 美国专利： US2009136411A1 . 2009-05-28

机译：碳纳米管，相同位置的方法，使用碳纳米管制造的场效应晶体管，场效应晶体管的制造方法以及半导体装置