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Annual Device Research Conference
Annual Device Research Conference
召开年:
2013
召开地:
Notre Dame, IN(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Fully printed memristors from Cu-SiO2 core-shell nanowire composites
机译:
来自Cu-SiO2核心壳纳米线复合材料的完全印刷的椎间盘
作者:
Matthew J. Catenacci
;
Patrick F. Flowers
;
Changyong Cao
;
Joseph B. Andrews
;
Aaron D. Franklin
;
Benjamin J. Wiley
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Memristors;
Switches;
Memory management;
Copper;
Resistance;
Nanoscale devices;
Switching circuits;
2.
Integration of InGaAs/InP structure above ROIC-CMOS for SWIR imaging
机译:
INGAAS / INP结构在ROIC-CMOS上方的SWIR成像的集成
作者:
Florian Le Goff
;
Daniel Mathiot
;
Jean Decobert
;
Jean-Pierre Le Goec
;
Olivier Parillaud
;
Jean-Luc Reverchon
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Zinc;
Bonding;
Indium phosphide;
III-V semiconductor materials;
Indium gallium arsenide;
Dark current;
Imaging;
3.
Self-aligned contact metallization to AlGaN/GaN heterostructures
机译:
对AlGaN / GaN异质结构的自对准接触金属化
作者:
Derek Johnson
;
Michael Babb
;
Pradhyumna Ravikirthi
;
Jae Woo Suh
;
H. Rusty Harris
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Annealing;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Contact resistance;
Surface treatment;
Transistors;
Titanium;
4.
Three-terminal spintronics devices for CMOS integration
机译:
CMOS集成的三端子闪奖装置
作者:
Hideo Ohno
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Switches;
Spintronics;
Magnetization;
Magnetic fields;
Very large scale integration;
Torque;
Nanoelectronics;
5.
Al0.65Ga0.35N channel high electron mobility transistors on AlN/ sapphire templates
机译:
AL0.65GA0.35N ALN / SAPPHIRE模板上的高电子移动性晶体管
作者:
Sakib Muhtadi
;
Seong Mo Hwang
;
Antwon Coleman
;
Fatima Asif
;
Asif Khan
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
HEMTs;
Logic gates;
Aluminum nitride;
III-V semiconductor materials;
Gallium nitride;
Conductivity;
Electric breakdown;
6.
Acoustoelectric amplification of surface acoustic waves on ZnO deposited on AlGaN/GaN Epi
机译:
ZnO沉积在AlGaN / GaN Epi上的表面声波的声学放大
作者:
Jose A. Bahamonde
;
Aida R. Colon
;
Harish Krishnaswamy
;
Ioannis Kymissis
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Zinc oxide;
II-VI semiconductor materials;
Gallium nitride;
Surface acoustic wave devices;
Acoustic waves;
Delay lines;
HEMTs;
7.
Flower-like light distribution inside InGaN-based light-emitting diodes operated in spectral range from violet to red
机译:
基于IngaN的发光二极管内的花样光分布在紫罗兰色到红色的光谱范围内操作
作者:
Kwanjae Lee
;
Sangmun Han
;
Cheul-Ro Lee
;
Jin Soo Kim
;
Yoon Seok Kim
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Light emitting diodes;
Wavelength measurement;
Current measurement;
Frequency modulation;
Monolithic integrated circuits;
Gallium;
Distance measurement;
8.
Molecular doping of transition metal dichalcogenides using metal phythalocyanines
机译:
使用金属植物植物金属酞菁的过渡金属二硫代甲基化物的分子掺杂
作者:
Suki N. Zhang
;
Christopher J. Benjamin
;
Zhihong Chen
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Doping;
Metals;
Molybdenum;
Sulfur;
Compounds;
Pulse measurements;
9.
Carbon nanotube transistor technology for extending logic roadmap
机译:
用于延伸逻辑路线图的碳纳米管晶体管技术
作者:
Shu-Jen Han
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Annealing;
Transistors;
Nickel;
Logic gates;
Carbon;
Oxidation;
10.
A non-volatile cascadable magneto-electric material implication logic
机译:
非易失性的可级式磁电材料含义逻辑
作者:
Akhilesh Jaiswal
;
Indranil Chakraborty
;
Kaushik Roy
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Mathematical model;
Inverters;
Switches;
Resistance;
Magnetization;
Robustness;
11.
Realizing P-FETs and photodiodes on MoS2 through area-selective p-doping via vacancy engineering
机译:
通过空位工程实现通过区域选择性P掺杂的MOS2上的P-FET和光电二极管
作者:
Shubhadeep Bhattacharjee
;
Kolla Lakshmi Ganapathi
;
Navakanta Bhat
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Sulfur;
Doping;
Molybdenum;
Junctions;
Ions;
Field effect transistors;
Contacts;
12.
Scaling is over — What now?
机译:
缩放结束了 - 现在是什么?
作者:
Wilfried Haensch
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Neuromorphics;
Computer architecture;
Nonvolatile memory;
Neurons;
Biological neural networks;
Training;
Machine learning;
13.
First synthesized WS2 nanotube and nanoribbon field effect transistors grown by chemical vapor transport
机译:
首先由化学蒸汽运输生长的第一合成WS2纳米管和纳米孔场效应晶体管
作者:
Sara Fathipour
;
Huamin Li
;
Paolo Paletti
;
Maja Remskar
;
Susan Fullerton-Shirey
;
Alan Seabaugh
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Field effect transistors;
Logic gates;
Ions;
Aluminum oxide;
Temperature measurement;
Doping;
14.
High-performance nanoscale topological inductor
机译:
高性能纳米级拓扑电感
作者:
Timothy M. Philip
;
Matthew J. Gilbert
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Inductors;
Dispersion;
Performance evaluation;
Surface states;
Topological insulators;
Two dimensional displays;
Inductance;
15.
Gate-recessed, laterally-scaled β-Ga2O3 MOSFETs with high-voltage enhancement-mode operation
机译:
具有高压增强模式操作的栅极凹陷,横向缩放的β-GA2O3 MOSFET
作者:
Kelson Chabak
;
Andrew Green
;
Neil Moser
;
Steve Tetlak
;
Jonathan McCandless
;
Kevin Leedy
;
Robert Fitch
;
Antonio Crespo
;
Gregg Jessen
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
MOSFET;
Epitaxial growth;
Etching;
Ohmic contacts;
Iterative closest point algorithm;
Dielectric measurement;
16.
Reconfigurable germanium transistors with low source-drain leakage for secure and energy-efficient doping-free complementary circuits
机译:
可重新配置的锗晶体管,具有低源排水泄漏,用于安全和节能的无掺杂互补电路
作者:
J. Trommer
;
A. Heinzig
;
S. Slesazeck
;
U. Mühle
;
M. L?ffler
;
D. Walter
;
C. Mayr
;
T. Mikolajick
;
W. M. Weber
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Transistors;
Germanium;
Logic gates;
Silicon;
Junctions;
Threshold voltage;
Geometry;
17.
Characterization of transient redox dynamics in SrTiO3 synaptic devices
机译:
SRTIO3突触装置中瞬态氧化还原动力学的特征
作者:
Tony J. Bailey
;
Rashmi Jha
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Transient analysis;
Electric potential;
Electrodes;
Frequency measurement;
Magnetic hysteresis;
Magnetic semiconductors;
Performance evaluation;
18.
BEOL compatible 2D layered materials as ultra-thin diffusion barriers for Cu interconnect technology
机译:
BEOL兼容的2D分层材料作为Cu互连技术的超薄扩散屏障
作者:
Chun-Li Lo
;
Shengjiao Zhang
;
Tingting Shen
;
Joerg Appenzeller
;
Zhihong Chen
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Graphene;
Dielectrics;
Two dimensional displays;
Conductivity;
Surface treatment;
Integrated circuit interconnections;
Dielectric measurement;
19.
Gate tunable 2D WSe2 Esaki diode by SiNx doping
机译:
由Sinx掺杂的栅极可调2D WSE2 Esaki二极管
作者:
Chin-Sheng Pang
;
Hesameddin Ilatikhameneh
;
Zhihong Chen
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Tunneling;
Doping;
Logic gates;
Two dimensional displays;
Mathematical model;
Photonic band gap;
Contact resistance;
20.
Transparent amorphous oxide semiconductors: Materials design, electronic structure, and device applications
机译:
透明非晶氧化物半导体:材料设计,电子结构和设备应用
作者:
Hideo Hosono
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Organic light emitting diodes;
Thin film transistors;
Cathodes;
Electron mobility;
Metals;
Substrates;
Backplanes;
21.
Supervised learning in spiking neural networks with MLC PCM synapses
机译:
用MLC PCM突触飙升神经网络的学习
作者:
S. R. Nandakumar
;
I. Boybat
;
M. Le Gallo
;
A. Sebastian
;
B. Rajendran
;
E. Eleftheriou
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Phase change materials;
Programming;
Supervised learning;
Neural networks;
Training;
Phase change memory;
Machine learning algorithms;
22.
Radiation hardness of Ga2O3 MOSFETs against gamma-ray irradiation
机译:
GA2O3 MOSFET对γ射线照射的辐射硬度
作者:
Man Hoi Wong
;
Akinori Takeyama
;
Takahiro Makino
;
Takeshi Ohshima
;
Kohei Sasaki
;
Akito Kuramata
;
Shigenobu Yamakoshi
;
Masataka Higashiwaki
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
MOSFET;
Radiation effects;
Logic gates;
Degradation;
Passivation;
Dielectrics;
Aluminum oxide;
23.
Graphene-based ion-sensitive field effect transistor
机译:
基于石墨烯的离子敏感场效应晶体管
作者:
Hongmei Li
;
Md Sayful Islam
;
Goutam Koley
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Ions;
Graphene;
Substrates;
Sensitivity;
Field effect transistors;
Biosensors;
24.
Toward realization of Ga2O3 for power electronics applications
机译:
朝来实现电力电子应用Ga2O3
作者:
Gregg Jessen
;
Kelson Chabak
;
Andy Green
;
Jonathan McCandless
;
Steve Tetlak
;
Kevin Leedy
;
Robert Fitch
;
Shin Mou
;
Eric Heller
;
Stefan Badescu
;
Antonio Crespo
;
Neil Moser
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
MOSFET;
Gallium nitride;
Radio frequency;
Switches;
Power conversion;
Silicon;
Electric potential;
25.
First report of scaling a normally-off in-situ oxide, GaN interlayer based vertical trench MOSFET (OG-FET)
机译:
第一次缩放常氧化物的原位氧化物的报告,GaN中间层垂直沟槽MOSFET(OG-FET)
作者:
Dong Ji
;
Chirag Gupta
;
Anchal Agarwal
;
Silvia H. Chan
;
Cory Lund
;
Wenwen Li
;
Matthew A. Laurent
;
Stacia Keller
;
Umesh K. Mishra
;
Srabanti Chowdhury
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Gallium nitride;
Substrates;
MOCVD;
Logic gates;
MOSFET;
Performance evaluation;
26.
p-Transistors, p-bits and p-circuits for an invertible logic
机译:
用于可逆逻辑的P晶体管,P比和P电路
作者:
Kerem Yunus Camsari
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Adders;
Solids;
Magnetic liquids;
Standards;
Hardware;
Integrated circuit interconnections;
Correlation;
27.
Soft error evaluation for InGaAs and Ge complementary FinFETs
机译:
InGaAs和GE互补Finfets的软错误评估
作者:
K. Ni
;
J. A. Smith
;
M. Barth
;
H. Liu
;
J. H. Warner
;
K. Saraswat
;
S. Datta
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Silicon;
FinFETs;
Indium gallium arsenide;
Transient analysis;
Ions;
Random access memory;
28.
NbOx synaptic devices for spike frequency dependent plasticity learning
机译:
Nox突触装置,用于尖峰频率依赖塑性学习
作者:
Andrew J. Rush
;
Rashmi Jha
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Tin;
Electrodes;
Saturation magnetization;
Lattices;
Frequency dependence;
Niobium;
Heuristic algorithms;
29.
Graphene field effect transistors with optimized contact resistance for current gain
机译:
石墨烯场效应晶体管具有优化的接触电阻,用于电流增益
作者:
W. Wei
;
D. D. Fazio
;
U. Sassi
;
A. C. Ferrari
;
E. Pallecchi
;
H. Happy
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Graphene;
Current measurement;
Coplanar waveguides;
Contact resistance;
Frequency measurement;
Logic gates;
Radio frequency;
30.
MoS2 negative capacitance FETs with CMOS-compatible hafnium zirconium oxide
机译:
MOS2负电容FET,具有CMOS相容的氧化铪氧化锆
作者:
Felicia A. McGuire
;
Yuh-Chen Lin
;
Bruce Rayner
;
Aaron D. Franklin
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Two dimensional displays;
Molybdenum;
Sulfur;
Hysteresis;
Capacitors;
Field effect transistors;
Tin;
31.
Water-based 2D-crystal Inks: From formulation engineering to printed devices
机译:
水性2D晶体墨水:从配方工程到印刷设备
作者:
Cinzia Casiraghi
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Two dimensional displays;
Ink;
Graphene;
Power lasers;
Optical device fabrication;
Optical sensors;
Optical switches;
32.
1965–1975: A miracle decade for DRC
机译:
1965-1975:DRC的奇迹十年
作者:
Jerry M. Woodall
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Semiconductor lasers;
Technological innovation;
Silicon;
Photovoltaic cells;
HEMTs;
MODFETs;
Gallium nitride;
33.
Gallium selenide (GaSe)-molybdenum disulfide (MOS2) van der Waals heterojunction diodes
机译:
溶硒酰胺(Gase) - 二硫化二硫化物(MOS2)范德瓦尔斯异质结二极管
作者:
Arnob Islam
;
Jaesung Lee
;
Philip X.-L. Feng
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Heterojunctions;
Molybdenum;
Sulfur;
Gases;
Logic gates;
Graphite;
Semiconductor diodes;
34.
Ultra thin body InAs MOSFET with raised InAs n S/D by selective MBE
机译:
超薄机体INAS MOSFET通过选择性的MBE具有凸起的INAS N S / D
作者:
Matej Pastorek
;
Mohamed Ridaoui
;
Alain Fadjie
;
Aurélien Olivier
;
Nicolas Wichmann
;
Ludovic Desplanque
;
Xavier Wallart
;
Sylvain Bollaert
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
MOSFET;
Resistance;
Molecular beam epitaxial growth;
Logic gates;
Performance evaluation;
Fabrication;
Epitaxial layers;
35.
Three-dimensional plasmonic light concentrators for efficient terahertz generation
机译:
高效三赫兹一代的三维等离子体灯光浓缩器
作者:
Nezih Tolga Yardimci
;
Semih Cakmakyapan
;
Soroosh Hemmati
;
Mona Jarrahi
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Stimulated emission;
Optical device fabrication;
Optical imaging;
Optical pumping;
Substrates;
Optical reflection;
Optical pulses;
36.
Plasmonic enhancement of photoacoustic signal for sensing applications
机译:
对传感应用的光声信号等等离子体增强
作者:
Digangana Khan
;
Ferhat Bayram
;
Hongmei Li
;
Durga Gajula
;
Goutam Koley
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Gold;
Lasers;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Plasmons;
Absorption;
Gallium nitride;
37.
E-mode RF transistors and circuit model using CVD MoS2
机译:
E模式RF晶体管和电路模型使用CVD MOS2
作者:
A. Sanne
;
M. Nagavalli Yogeesh
;
S. Park
;
R. Ghosh
;
C. Liu
;
L. Mathew
;
R. Rao
;
D. Akinwande
;
S. Banerjee
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Molybdenum;
Sulfur;
Field effect transistors;
Radio frequency;
Logic gates;
Gain;
38.
Corrugated channel In0.8Ga0.2As quantum well transistors for low power logic applications
机译:
波纹通道IN0.8GA0.2.对于低功耗逻辑应用的量子阱晶体管
作者:
Jeffrey A. Smith
;
Michael Barth
;
Kai Ni
;
Mirco Cantoro
;
Dong-Won Kim
;
Suman Datta
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
FinFETs;
Silicon;
Logic gates;
Stacking;
Temperature measurement;
Charge carrier density;
39.
Integration of 3.4 nm HfO2 into the gate stack of MOS2 and WSe2 top-gate field-effect transistors
机译:
将3.4 nm hfo2集成到MOS2和WSE2顶级场效应晶体管的栅极堆叠中
作者:
Katherine M. Price
;
Aaron D. Franklin
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Hafnium compounds;
Molybdenum;
Sulfur;
Field effect transistors;
Aluminum oxide;
Two dimensional displays;
Crystals;
40.
Increased blocking voltage in solution processed ZTO HVTFTs through drain offset
机译:
通过排水偏移将溶液中的阻塞电压增加增加了ZTO HVTFTS
作者:
Christopher Allemang
;
Rebecca L. Peterson
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Electric breakdown;
Logic gates;
Computer science;
Electronic mail;
Very large scale integration;
Electron devices;
Passivation;
41.
GaN vertical nanowire and fin power MISFETs
机译:
GaN垂直纳米线和翅片电源MISFET
作者:
Zongyang Hu
;
Wenshen Li
;
Kazuki Nomoto
;
Mingda Zhu
;
Xiang Gao
;
Manyam Pilla
;
Debdeep Jena
;
Huili Grace Xing
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Gallium nitride;
Logic gates;
MISFETs;
Geometry;
Electrostatics;
Substrates;
Power transistors;
42.
Generation of hot electrons in GaN HEMTs under RF Class A and AB PAs
机译:
在射频A和AB PAS下GaN Hemts中的热电子产生热电子
作者:
Alvaro D. Latorre-Rey
;
John D. Albrecht
;
Marco Saraniti
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Radio frequency;
Pins;
Hot carriers;
Integrated circuit modeling;
Load modeling;
HEMTs;
MODFETs;
43.
Gate structure engineering for enhancement-mode AlGaN/GaN MOSHEMT
机译:
增强模式Algan / GaN MoShemt的栅极结构工程
作者:
Han-Yin Liu
;
Ching-Sung Lee
;
Chih-Wei Lin
;
Meng-Hsueh Chiang
;
Wei-Chou Hsu
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Aluminum oxide;
Logic gates;
Plasmas;
Doping;
Electrodes;
44.
Work function modulation of monolayer MOS2 doped with 3d transition metals
机译:
用3D过渡金属掺杂单层MOS2的工作功能调制
作者:
Yi-Chia Tsai
;
Chieh-Yang Chen
;
Min-Shao Ho
;
Yiming Li
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Molybdenum;
Sulfur;
Metals;
Charge transfer;
Three-dimensional displays;
Mathematical model;
Bars;
45.
Dimensionality matters: Electronic transport in 2D layered materials
机译:
维度重要:2D层材料中的电子传输
作者:
Joerg Appenzeller
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Two dimensional displays;
Tunneling;
Photonic band gap;
Graphene;
Metals;
Field effect transistors;
46.
The device research conference: 1992–2017 and 2017–2042
机译:
设备研究会议:1992-2017和2017-2042
作者:
M. J. W. Rodwell
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Photonics;
Indium phosphide;
III-V semiconductor materials;
Silicon germanium;
Gallium nitride;
Silicon;
HEMTs;
47.
Graphene and black phosphorus for infrared optoelectronics
机译:
用于红外光电子的石墨烯和黑磷
作者:
Tony Low
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Graphene;
Plasmons;
Optical sensors;
Photonics;
Optical modulation;
Optical polarization;
Absorption;
48.
First demonstration of vertical Ga2O3 MOSFET: Planar structure with a current aperture
机译:
垂直GA2O3 MOSFET的首次演示:具有电流孔径的平面结构
作者:
Man Hoi Wong
;
Ken Goto
;
Akito Kuramata
;
Shigenobu Yamakoshi
;
Hisashi Murakami
;
Yoshinao Kumagai
;
Masataka Higashiwaki
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
MOSFET;
Substrates;
Aluminum oxide;
Logic gates;
Apertures;
Doping;
Capacitance-voltage characteristics;
49.
Influence of Si(100) surface flattening process on nonvolatile memory characteristics of Hf-based MONOS structures
机译:
Si(100)表面扁平过程对基于HF的Monos结构的非易失性存储器特性的影响
作者:
Sohya Kudoh
;
Shun-ichiro Ohmi
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
MONOS devices;
Surface treatment;
Logic gates;
Annealing;
Rough surfaces;
Surface roughness;
Silicon;
50.
S-shaped negative differential resistance in III-Nitride blue quantum-well laser diodes grown by plasma-assisted MBE
机译:
由等离子辅助MBE生长的III-氮化物蓝色量子孔激光二极管的S形负差分电阻
作者:
Henryk Turski
;
Rusen Yan
;
Samuel J Bader
;
Grzegorz Muzio?
;
Czes?aw Skierbiszewski
;
Huili Grace Xing
;
Debdeep Jena
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Light emitting diodes;
Diode lasers;
Gallium nitride;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Oscillators;
Current measurement;
51.
Towards electro-optical integration of hybrid III-V on Si lasers into the BEOL of a CMOS technology
机译:
朝向CMOS技术的BEOL中的杂交III-V电光整合到CMOS技术的BEOL
作者:
H. Hahn
;
M. Seifried
;
G. Villares
;
Y. Baumgartner
;
M. Halter
;
C. Ca?r
;
D. Caimi
;
M. Sousa
;
R. Dangel
;
N. Meier
;
F. Horst
;
L. Czornomaz
;
B. J. Offrein
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Silicon;
Surface treatment;
Optical surface waves;
Optical pumping;
Waveguide lasers;
Optical coupling;
52.
Narrow line crystallization of rubrene thin film enhanced by Yb interfacial layer for single crystal OFET application
机译:
用yb界面缩小氧化橡胶薄膜的窄线结晶,用于单晶的互晶层
作者:
Shun-ichiro Ohmi
;
Mizuha Hiroki
;
Yasutaka Maeda
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Crystallization;
OFETs;
Annealing;
Gold;
Logic gates;
Electrodes;
53.
Extracting interface recombination velocities from double-heterojunction solar cell reverse-recovery characteristics
机译:
从双异质结太阳能电池反向恢复特性提取界面重组速度
作者:
Alexander H. Berg
;
James C. Sturm
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Heterojunctions;
Mathematical model;
Transient analysis;
Numerical models;
Photovoltaic cells;
Silicon;
Fitting;
54.
Thin film In0.53Ga0.47As Schottky diodes for rectification and photodetection of 28.3 THz radiations
机译:
薄膜IN0.53GA0.47AS肖特基二极管进行整改和光电检测28.3 ZHz辐射
作者:
Rozana Hussin
;
Lingjie Liu
;
Yi Luo
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Schottky diodes;
Nickel;
Current measurement;
Indium phosphide;
III-V semiconductor materials;
Photoconductivity;
Gold;
55.
Depletion/enhancement-mode β-Ga2O3 on insulator field-effect transistors with drain currents exceeding 1.5/1.0 A/mm
机译:
耗尽/增强模式β-GA2O3在绝缘体场效应晶体管上,漏极电流超过1.5 / 1.0 A / mm
作者:
Hong Zhou
;
Peide D. Ye
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Field effect transistors;
Doping;
Capacitance;
Radio frequency;
Photonic band gap;
Substrates;
56.
Temperature dependent characterization of Ga2O3 MOSFETs with Spin-on-Glass source/drain doping
机译:
GA2O3 MOSFET的温度依赖性表征旋转玻璃源/排水掺杂
作者:
Ke Zeng
;
Uttam Singisetti
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
gallium compounds;
MOSFET;
semiconductor doping;
57.
Edge contacts to multilayer MoS2 using in situ Ar ion beam
机译:
使用原位AR离子束对多层MOS2的边缘触点
作者:
Zhihui Cheng
;
Katherine Price
;
Aaron D. Franklin
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Molybdenum;
Sulfur;
Ion beams;
Metals;
Image edge detection;
Etching;
Performance evaluation;
58.
A random number generator based on insulator-to-metal electronic phase transitions
机译:
基于绝缘体到金属电子相变的随机数发生器
作者:
Matthew Jerry
;
Abhinav Parihar
;
Arijit Raychowdhury
;
Suman Datta
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Stochastic processes;
Generators;
Temperature measurement;
Hardware;
Fluctuations;
Time measurement;
Cryptography;
59.
A proposal for a magnetostriction-assisted all-spin logic device
机译:
磁致索辅助全旋逻辑装置的提案
作者:
Rouhollah Mousavi Iraei
;
Sourav Dutta
;
Sasikanth Manipatruni
;
Dmitri E. Nikonov
;
Ian A. Young
;
John T. Heron
;
Azad Naeemi
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Magnetostriction;
Perpendicular magnetic anisotropy;
Magnetic switching;
Magnetic circuits;
Switches;
Magnetization;
60.
Novel two-terminal vertical transition metal dichalcogenide based memory selectors
机译:
新型双末端垂直过渡金属二均晶基基的记忆选择器
作者:
Feng Zhang
;
Yuqi Zhu
;
Joerg Appenzeller
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Silicon;
Performance evaluation;
Metals;
Molybdenum;
Sulfur;
Current density;
Electrodes;
61.
High-temperature p-type polarization doped AlGaN cladding for sub-250 nm deep-UV quantum well LEDs by MBE
机译:
高温P型偏振掺杂AlGaN包层,用于Sub-250nm Deep-UV量子井LED
作者:
Shyam Bharadwaj
;
S M Islam
;
Kevin Lee
;
Andrew Devine
;
Vladimir Protasenko
;
Sergei Rouvimov
;
Huili Grace Xing
;
Debdeep Jena
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Light emitting diodes;
Temperature measurement;
Plasma temperature;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Doping;
Substrates;
62.
Multilayer silicon nitride-on-silicon photonic platforms for three-dimensional integrated photonic devices and circuits
机译:
三维集成光子器件和电路的多层氮化硅 - 硅光子平台
作者:
Joyce K. S. Poon
;
Wesley D. Sacher
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Silicon;
Photonics;
Optical fibers;
Nonhomogeneous media;
Optical crosstalk;
63.
Small-signal characteristics of graded AlGaN channel PolFETs
机译:
分级AlGaN通道POLFET的小信号特性
作者:
Sanyam Bajaj
;
Zhichao Yang
;
Fatih Akyol
;
Pil Sung Park
;
Yuewei Zhang
;
Shahadat H. Sohel
;
Sriram Krishnamoorthy
;
David J. Meyer
;
Siddharth Rajan
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Density measurement;
Transconductance;
Current density;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
64.
Negative capacitance transients in metal-ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2-Insulator-Semiconductor (MFIS) capacitors
机译:
金属 - 铁电HF0.5 ZR0.5O2 - 绝缘体 - 半导体(MFIS)电容器中的负电容瞬变
作者:
P. Sharma
;
J. Zhang
;
A. K. Saha
;
S. Gupta
;
S. Datta
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Iron;
Capacitors;
Capacitance;
Resistance;
Switches;
Silicon;
Transient analysis;
65.
Novel fabrication method and structure of single crystal thin film In0.53Ga0.47As Schottky diodes for potential IR applications
机译:
单晶薄膜的新型制造方法和结构IN0.53GA0.47AS潜在IR应用的肖特基二极管
作者:
Rozana Hussin
;
Yi Luo
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Schottky diodes;
Capacitance;
Crystals;
Cutoff frequency;
Silicon;
Nickel;
66.
Scaling of 4H-SiC p-i-n photodiodes for high temperature applications
机译:
高温应用的4H-SiC P-I-N光电二极管的缩放
作者:
Shuoben Hou
;
Per-Erik Hellstr?m
;
Carl-Mikael Zetterling
;
Mikael ?stling
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Temperature;
Temperature measurement;
P-i-n diodes;
PIN photodiodes;
Temperature sensors;
Mathematical model;
67.
2D-EFET — A novel beyond Boltzmann transistor
机译:
2D-EFET - 超越Boltzmann晶体管的新颖
作者:
Saptarshi Das
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Two dimensional displays;
Photonic band gap;
MOSFET;
Logic gates;
Stress;
Silicon;
68.
CMOS integrated ZnO thin film bulk acoustic resonator with Si3N4 susceptor layer for improved IR sensitivity
机译:
CMOS集成ZnO薄膜散装声谐振器,具有Si3N4基座层,可提高IR敏感性
作者:
Aida R. Colon-Berrios
;
Hassan Edrees
;
Christine McGinn
;
Marco Roberto Cavallari
;
Peter Kinget
;
Ioannis Kymissis
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Zinc oxide;
II-VI semiconductor materials;
Optical resonators;
Film bulk acoustic resonators;
Sensitivity;
Temperature sensors;
Optical sensors;
69.
First demonstration of band-to-band tunneling in black phosphorus
机译:
黑色磷中带带隧穿的第一次演示
作者:
Peng Wu
;
Abhijith Prakash
;
Joerg Appenzeller
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
TFETs;
Tunneling;
Dielectrics;
Logic gates;
Photonic band gap;
Effective mass;
70.
Partial switching of ferroelectrics for synaptic weight storage
机译:
突触重量储存的偏路的部分切换
作者:
Erich W. Kinder
;
Cristobal Alessandri
;
Pratyush Pandey
;
Golnaz Karbasian
;
Sayeef Salahuddin
;
Alan Seabaugh
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Switches;
Capacitors;
Iron;
Voltage measurement;
Current measurement;
Polarization;
Pulse measurements;
71.
Defects in layered vapor-phase grown MOS2
机译:
层状气相生长MOS2中的缺陷
作者:
M. Belete
;
S. Kataria
;
O. Engstr?m
;
M. C. Lemme
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Molybdenum;
Sulfur;
Capacitance-voltage characteristics;
Silicon;
Capacitors;
Voltage measurement;
Mobile communication;
72.
A simple PECVD SiO2 OTP memory based PUF for 180nm node for IoT
机译:
基于PUF的简单PECVD SIO2 OTP存储器为180nm节点
作者:
A. Lele
;
S. Sadana
;
A. Singh
;
H. S. Jatana
;
U. Ganguly
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
NIST;
Electric breakdown;
Transistors;
MATLAB;
73.
High temporal spatial resolution imaging of catastrophic soft breakdown in self-assembled nanodielectrics (SANDs) films
机译:
自组装纳米电气(沙滩)薄膜灾难和软击穿的高时和空间分辨率成像
作者:
Amr Mohammed
;
Kerry Maize
;
Katie Stallings
;
Tobin Marks
;
David Clarke
;
Peter Bermel
;
Muhammad Alam
;
Ali Shakouri
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Electric breakdown;
Capacitors;
Optical imaging;
Spatial resolution;
Films;
Optical pulses;
Microscopy;
74.
First InGaAs lateral nanowire MOSFET RF noise measurements and model
机译:
首先Ingaas横向纳米线MOSFET射频噪声测量和型号
作者:
Lars Ohlsson
;
Fredrik Lindel?w
;
Cezar B. Zota
;
Matthias Ohlrogge
;
Thomas Merkle
;
Lars-Erik Wernersson
;
Erik Lind
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Noise measurement;
MOSFET;
Semiconductor device modeling;
Radio frequency;
Indium gallium arsenide;
Frequency measurement;
75.
A high-current InP-channel triple heterojunction tunnel transistor design
机译:
高电流INP通道三重异质结隧道晶体管设计
作者:
Pengyu Long
;
Michael Povolotskyi
;
Jun Z. Huang
;
James Charles
;
Tillmann Kubis
;
Gerhard Klimeck
;
Mark J. W. Rodwell
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
TFETs;
Ions;
Phonons;
Indium phosphide;
III-V semiconductor materials;
Optical scattering;
76.
600 V GaN vertical V-trench MOSFET with MBE regrown channel
机译:
600 V GaN垂直V-Trench MOSFET与MBE重新频道
作者:
Wenshen Li
;
Kazuki Nomoto
;
Kevin Lee
;
S M Islam
;
Zongyang Hu
;
Mingda Zhu
;
Xiang Gao
;
Manyam Pilla
;
Debdeep Jena
;
Huili Grace Xing
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Gallium nitride;
Logic gates;
Molecular beam epitaxial growth;
MOSFET;
MOCVD;
Surface morphology;
77.
Glucose sensing using dual-gated BioFETs with 5nm-thick silicon body
机译:
使用具有5nm厚的硅体的双门控生物热葡萄糖感测
作者:
Ting Wu
;
Ali Afzali
;
Kae-Dyi You
;
Kim Kisslinger
;
Eric Stach
;
Davood Shahrjerdi
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Sugar;
Sensors;
Silicon;
Logic gates;
Fabrication;
Voltage measurement;
78.
Plasmonic enhanced polarization sensitive black phosphorus photodetection device
机译:
等离子体增强偏振敏感黑色磷光电检测装置
作者:
Yexin Deng
;
Prabhu K. Venuthurumilli
;
Zhe Luo
;
Nathan Conrad
;
Xianfan Xu
;
Peide D. Ye
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Phosphorus;
Photoconductivity;
Absorption;
Power lasers;
Plasmons;
Two dimensional displays;
Measurement by laser beam;
79.
Machine learning for variability aware statistical device design: The case of perpendicular spin-transfer-torque random access memory
机译:
可变性的机器学习感知统计设备设计:垂直自旋转移扭矩随机存取存储器的情况
作者:
Urmimala Roy
;
Tanmoy Pramanik
;
Subhendu Roy
;
Leonard F. Register
;
Sanjay K. Banerjee
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Random access memory;
Computational modeling;
Switches;
Current density;
Training;
Gaussian distribution;
Probability distribution;
80.
Al0.45Ga0.55N/Al0.30Ga0.70N high electron mobility transistors with Schottky gates and small subthreshold slope factor
机译:
AL0.45GA0.55N / AL0.30GA0.70N高电子移动晶体管,具有肖特基栅格和小亚阈值斜坡沉积因子
作者:
Albert G. Baca
;
Andrew M. Armstrong
;
Andrew A. Allerman
;
Brianna A. Klein
;
Erica A. Douglas
;
Carlos A. Sanchez
;
Torben R. Fortune
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
HEMTs;
MODFETs;
Logic gates;
Ohmic contacts;
Laboratories;
Photonic band gap;
81.
Effect of electron beam irradiation on black phosphorus field effect transistor performance
机译:
电子束照射对黑色磷场效晶体管性能的影响
作者:
Natasha Goyal
;
Naveen Kaushik
;
Himani Jawa
;
Saurabh Lodha
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Electron beams;
Radiation effects;
Field effect transistors;
Threshold voltage;
Degradation;
Voltage measurement;
Doping;
82.
Low power current sense amplifier based on phase transition material
机译:
基于相变材料的低功率电流检测放大器
作者:
Ahmedullah Aziz
;
Xueqing Li
;
Nikhil Shukla
;
Suman Datta
;
Meng-Fan Chang
;
Vijaykrishnan Narayanan
;
Sumeet Kumar Gupta
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Transistors;
Sensors;
Standards;
Semiconductor process modeling;
Delays;
Electronic mail;
Switches;
83.
Enhancing breakdown voltage in amorphous zinc tin oxide Schottky diode
机译:
在无定形锌氧化锌肖特基二极管中增强击穿电压
作者:
Youngbae Son
;
Rebecca L. Peterson
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Electrical engineering;
Computer science;
Electronic mail;
Handheld computers;
84.
Contact engineering of monolayer CVD MOS2 transistors
机译:
单层CVD MOS2晶体管联系工程
作者:
Abdullah Alharbi
;
Davood Shahrjerdi
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Transistors;
Doping;
Contact resistance;
Sulfur;
Electrodes;
Molybdenum;
Temperature measurement;
85.
Piezoelectric thin films on polyimide substrates for flexible piezoelectric devices
机译:
用于柔性压电装置的聚酰亚胺基板上的压电薄膜
作者:
Tianning Liu
;
Margeaux Wallace
;
Susan Trolier-McKinstry
;
Thomas N Jackson
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Films;
Substrates;
Polyimides;
Piezoelectric devices;
Electrodes;
Permittivity;
Silicon;
86.
Black phosphorus field-effect transistor with record drain current exceeding 1 A/mm
机译:
具有记录漏极电流超过1A / mm的黑色磷场效应晶体管
作者:
Mengwei Si
;
Lingming Yang
;
Yuchen Du
;
Peide D. Ye
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Field effect transistors;
Logic gates;
Two dimensional displays;
Current measurement;
Semiconductor device measurement;
Charge carrier density;
87.
Your golden age of device research
机译:
您的设备研究黄金时代
作者:
Thomas N Jackson
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Companies;
MOSFET;
Thin film transistors;
Crystals;
Substrates;
Electrical engineering;
88.
Double bilayer graphene-WSe2 resonant tunneling heterostructures with high interlayer current densities and peak-to-valley ratios
机译:
双双层石墨烯-WSE2谐振隧道异质结构,具有高层间电流密度和峰 - 谷比率
作者:
G. W. Burg
;
B. Fallahazad
;
K. Kim
;
N. Prasad
;
Takashi Taniguchi
;
Kenji Watanabe
;
L. F. Register
;
E. Tutuc
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
Graphene;
Resistance;
Resonant tunneling devices;
Current density;
Temperature measurement;
Semiconductor device measurement;
89.
Scaling challenges of FinFET architecture below 40nm contacted gate pitch
机译:
在40nm的FinFET架构的策划挑战与40nm接触闸板间距
作者:
A. Razavieh
;
P. Zeitzoff
;
D. E. Brown
;
G. Karve
;
E. J. Nowak
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2017年
关键词:
FinFETs;
Logic gates;
Market research;
Electrostatics;
Performance evaluation;
Contact resistance;
Tunneling;
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