定向单壁碳纳米管阵列为沟道的场效应晶体管及制作方法

摘要

一种定向单壁碳纳米管阵列为沟道的场效应晶体管及制作方法，在位于基底上的有序单壁碳纳米管阵列层的两侧通过光刻曝光分别制成源、漏极，再在顶部依次光刻曝光和磁控溅射得到栅极和介质层，实现场效应晶体管的制备。本发明通过改变定向排布复合碳纳米管薄膜的密度、器件的结构尺寸以及掺杂参数，可以自由实现对场效应晶体管性能进行调控。