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使用被测的主要成分光谱和/或基于获得的光谱对薄膜的非破坏性表征

摘要

本发明提供了提供使用比较过程(例如,匹配过程)比较元素和/或化学物质的被测峰值形态(例如,先前所测量的在某一被监测的特定程序下硅的峰值形态)和采集的光谱数据(例如,使用非线性最小二乘拟合算法)用于膜层的表征。进一步地,本发明使用采集的光谱数据提供膜层(例如,氮氧化硅膜厚度的测定)的表征。例如,已获得的光谱可以是累积合成的并且该合成光谱的几何特征可用于确定成分的浓度信息。薄膜的厚度测量可以基于上述的成分浓度信息被提供。

著录项

  • 公开/公告号CN1774611A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 物理电子公司;

    申请/专利号CN200380110010.0

  • 发明设计人 P·E·拉森;D·G·沃森;J·F·莫尔德;

    申请日2003-12-23

  • 分类号G01B11/06(20060101);G01B15/02(20060101);G01N23/227(20060101);

  • 代理机构11283 北京润平知识产权代理有限公司;

  • 代理人周建秋;王凤桐

  • 地址 美国明尼苏达州

  • 入库时间 2023-12-17 17:16:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-29

    专利权的转移 IPC(主分类):G01B11/06 登记生效日:20180608 变更前: 变更后: 申请日:20031223

    专利申请权、专利权的转移

  • 2008-05-28

    授权

    授权

  • 2006-07-12

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-05-17

    公开

    公开

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