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公开/公告号CN111276749A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-12
原文格式PDF
申请/专利权人 有研工程技术研究院有限公司;
申请/专利号CN201811476575.5
发明设计人 李硕;谭飞虎;梁晓平;魏峰;杜军;
申请日2018-12-04
分类号H01M10/058(20100101);C23C14/04(20060101);C23C14/35(20060101);
代理机构11100 北京北新智诚知识产权代理有限公司;
代理人刘秀青
地址 101407 北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号
入库时间 2023-12-17 09:33:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01M10/058 申请日:20181204
实质审查的生效
2020-06-12
公开
机译: 用射频磁控溅射法和薄膜太阳能电池用射频薄膜制备木质薄膜的方法
机译: 有源直流磁控溅射法制备高性能真空紫外波长范围的光学薄膜
机译: 射频溅射法制备用于薄膜锂电池的钴酸锂薄膜阴极的方法
机译:通过磁控溅射法制备的全固态锂电池的阴极电解质界面上的一种新型致密LiCoO2微晶缓冲层
机译:射频磁控溅射法制备高性能透明掺锂铟锡锌氧化物薄膜晶体管
机译:无溶剂方法制备夹层状纳米纤维膜增强聚合物电解质,用于高性能全固态锂电池
机译:射频磁控溅射法制备70Teo_2-30wo_3玻璃薄膜的制备与表征
机译:用两步方法制备和表征高性能Cu 2zNSNS4薄膜太阳能电池
机译:杂化钙钛矿的新型物理气相沉积方法:通过射频磁控溅射法生长MAPbI3薄膜。
机译:无溶剂方法制备夹层样纳米纤维膜增强聚合物电解质,用于高性能全固态锂电池
机译:采用射频溅射法制备高性能镉铟透明导电薄膜