VDMOS器件ESD保护结构及其制作工艺

摘要

本发明涉及半导体制作技术领域，具体涉及一种VDMOS器件ESD保护结构及其制作工艺。其中制作工艺包括提供第一导电类型外延片，在所述第一导电类型外延片上制作多晶硅；在所述多晶硅上涂覆光刻胶；在所述多晶硅的边缘，靠近其他有源区位置处，形成ESD保护区；进行光刻工艺，保留所述ESD保护区位置处的光刻胶；轻掺杂注入第一导电类型离子；去除所述光刻胶；刻蚀所述多晶硅，形成栅极结构；重掺杂注入第一导电类型离子，在所述ESD保护区位置处形成多个相间隔的阴极区域；重掺杂第二导电类型离子，在所述ESD保护区位置处形成多个相间隔的阳极区域。其中ESD保护结构为通过上述工艺制作而成的结构。本发明结构和制作工艺简单，能够节约成本。