ESD保护栅结构20V N沟道沟槽VDMOSFET设计

摘要

文章主要研究了低压ESD保护栅型沟槽VDMOSFET的设计制造方法.首先简要分析了沟槽VDMOSFET的结构、工作原理以及ESD保护结构的理论实现.基于20V N沟道设计的主要参数指标,给出了具体的外延规格、终端结构、版图、工艺流程等主要设计点.在流片的分片单中对沟槽深度、栅氧厚度、P-阱注入剂量以及ESD-poly注入剂量进行分条件流片.通过CP数据以及封装测试数据的对比,确定了最佳的设计方案.最终的直流参数测试值都达到预计指标,在ESD方面,器件可承受大于2.5kV的HBM静电放电.