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机译:FD-SOI技术中用于ESD保护的薄膜硅BIMOS器件的拓扑和设计研究
STMicroelectronics 850 Rue Jean Monet F-38920 Crolles France;
STMicroelectronics 850 Rue Jean Monet F-38920 Crolles France|IMEP 3 Parvis Louis Neel CS 50257 F-38016 Grenoble 1 France|CEA LETI 17 Ave Martyrs F-38054 Grenoble 9 France;
STMicroelectronics 850 Rue Jean Monet F-38920 Crolles France|Univ Grenoble Alpes CNRS Grenoble INP TIMA 46 Ave Felix Viallet F-3800 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes CNRS Grenoble INP TIMA 46 Ave Felix Viallet F-3800 Grenoble France;
CEA LETI 17 Ave Martyrs F-38054 Grenoble 9 France;
IMEP 3 Parvis Louis Neel CS 50257 F-38016 Grenoble 1 France;
机译:GDNMOS和GDBIMOS器件可在薄膜先进的FD-SOI技术中提供高压ESD保护
机译:用于高压ESD保护的GDNMOS和GDBIMOS器件在薄膜高级FD-SOI技术中
机译:可重新配置的超薄膜GDNMOS器件,用于28 nm FD-SOI技术中的ESD保护
机译:用于FD-SOI技术的高级ESD保护薄膜硅BIMOS装置上的新型嵌入式电阻/门控二极管
机译:绝缘体上硅技术中的EOS / ESD保护器件和电路的建模,仿真和设计。
机译:嵌入氮化硅薄膜中的硅量子点与金纳米粒子在发光器件中的耦合增强了电致发光
机译:用于高压ESD保护的GDNMOS和GDBIMOS器件在薄膜高级FD-SOI技术中
机译:薄膜多晶硅光伏器件的探索性发展。用于连续剪切分离微晶硅薄膜的钼TEss工艺。第2号专题报告