4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法

摘要

本发明公开了一种4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法，首先对4H-SiC衬底进行清洗并放入垂直热壁低压CVD设备的生长室；反应室抽真空；设置反应室压强，并向反应室通氢气流；加热反应室至刻蚀温度，对衬底进行原位刻蚀；调节氢气流并升高反应室温度，反应室温度达到预生长温度时，通入生长源气体进行预生长，温度达到生长温度后，调节生长源气体流量进行外延生长；生长结束后，关闭生长源气体，并停止加热，在氢气流中冷却；对反应室抽真空后，继续在氩气流中冷却至室温，然后将生长室充入氩气至大气压强。本发明提高了外延生长速率，实现了4H-SiC高速同质外延生长，在较短生长时间内，获得了很厚的高质量4H-SiC外延层。