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Low resistance Ti-Si-C ohmic contacts for 4H-SiC power devices using laser annealing
机译:
使用激光退火的4H-SiC功率器件的低电阻Ti-Si-C欧姆接触
作者:
Milantha De Silva
;
Teruhisa Kawasaki
;
Takamaro Kikkawa
;
Shin-Ichiro Kuroki
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Annealing;
Silicon carbide;
Ohmic contacts;
Silicides;
Electrodes;
Carbon;
Nickel;
2.
150mm Silicon carbide selective embedded epitaxial growth technology by CVD
机译:
150mm CVD法碳化硅选择性嵌入外延生长技术
作者:
Kazukuni Hara
;
Hiroaki Fujibayashi
;
Yuuichi Takeuchi
;
Shoichiro Omae
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Epitaxial growth;
Silicon carbide;
MOSFET;
Doping;
Junctions;
Performance evaluation;
3.
Electrical stability impact of gate oxide in channel implanted SiC NMOS and PMOS transistors
机译:
沟道注入的SiC NMOS和PMOS晶体管中栅极氧化物的电稳定性影响
作者:
M. I. Idris
;
M. H. Weng
;
H.-K. Chan
;
A. E. Murphy
;
D. A. Smith
;
R. A. R. Young
;
E. P. Ramsay
;
D. T. Clark
;
N. G. Wright
;
A. B. Horsfall
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Performance evaluation;
Logic gates;
Interface states;
Stability analysis;
4.
Comparative evaluation of commercial 1200 V SiC power MOSFETs using diagnostic I-V characterization at cryogenic temperatures
机译:
在低温下使用诊断性I-V特性对商用1200 V SiC功率MOSFET进行比较评估
作者:
Sauvik Chowdhury
;
Collin W. Hitchcock
;
T. Paul Chow
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
MOSFET;
Silicon carbide;
Silicon;
Temperature;
Cryogenics;
Logic gates;
Capacitance;
5.
Exploration of bulk and epitaxy defects in 4H-SiC using large scale optical characterization
机译:
利用大规模光学表征探索4H-SiC的体相和外延缺陷
作者:
R. T. Leonard
;
M. J. Paisley
;
S. Bubel
;
J. J. Sumakeris
;
A. R. Powell
;
Y. Khlebnikov
;
J. C. Seaman
;
J. Ambati
;
A. A. Burk
;
M. J. OLoughlin
;
E. Balkas
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Epitaxial growth;
Substrates;
Crystals;
Message systems;
Fasteners;
Silicon carbide;
Semiconductor process modeling;
6.
Fabrication of thick free-standing lightly-doped n-type 4H-SiC wafers
机译:
厚的自立轻掺杂n型4H-SiC晶片的制造
作者:
Rajendra Dahal
;
Sauvik Chowdhury
;
Collin Hitchcock
;
T. Paul Chow
;
Ishwara B. Bhat
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Substrates;
Etching;
Epitaxial growth;
Insulated gate bipolar transistors;
Microwave measurement;
7.
Resolving the discrepancy between observed and calculated penetration depths in grazing incidence X-ray topography of 4H-SiC wafers
机译:
解决4H-SiC晶圆掠入射X射线形貌中观察到的和计算出的穿透深度之间的差异
作者:
Yu Yang
;
Jianqiu Guo
;
Balaji Raghothamachar
;
Michael Dudley
;
Gill Chung
;
Edward Sanchez
;
Ian Manning
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Crystals;
Surfaces;
X-ray diffraction;
Diffraction;
Geometry;
Absorption;
Synchrotrons;
8.
Growth of cubic silicon carbide on silicon using Hot Filament CVD
机译:
使用热丝CVD在硅上生长立方碳化硅
作者:
P. Hens
;
R. Brow
;
H. Robinson
;
M. Cromar
;
B. Van Zeghbroeck
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon;
Substrates;
Silicon carbide;
X-ray diffraction;
Chemical vapor deposition;
Hydrogen;
Optimization;
9.
Employing Scanning Spreading Resistance Microscopy (SSRM) for improving TCAD simulation accuracy of silicon carbide
机译:
使用扫描扩展电阻显微镜(SSRM)来提高碳化硅的TCAD模拟精度
作者:
R. Elpelt
;
B. Zippelius
;
S. Doering
;
U. Winkler
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Resistance;
Silicon carbide;
Semiconductor device measurement;
Probes;
Microscopy;
Semiconductor process modeling;
Computational modeling;
10.
Cryogenic characterisation and modelling of commercial SiC MOSFETs
机译:
商用SiC MOSFET的低温表征和建模
作者:
L. J. Woodend
;
P. M. Gammon
;
V. A. Shah
;
A. Pérez-Tomás
;
F. Li
;
D. P. Hamilton
;
M. Myronov
;
P. A. Mawby
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Temperature;
Silicon carbide;
MOSFET;
Cryogenics;
Temperature dependence;
Threshold voltage;
11.
Carrier lifetime control of 4H-SiC epitaxial layers by boron doping
机译:
硼掺杂控制4H-SiC外延层的载流子寿命
作者:
Tetsuya Miyazawa
;
Takeshi Tawara
;
Hidekazu Tsuchida
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Charge carrier lifetime;
Doping;
Epitaxial growth;
Substrates;
Thermal stability;
Boron;
Degradation;
12.
A study on 3C-SiC carbonization on misoriented Si substrates: From research to production scale reactors
机译:
取向不正确的硅衬底上3C-SiC碳化的研究:从研究到生产规模的反应器
作者:
M. Bos
;
C. Ferrari
;
D. Nilsson
;
P. J. Ward
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Substrates;
Silicon;
Inductors;
Heating;
Production;
Silicon carbide;
Performance evaluation;
13.
Experimental verification of a self-triggered solid-state circuit breaker based on a SiC BIFET
机译:
基于SiC BIFET的自触发式固态断路器的实验验证
作者:
M. Albrecht
;
A. Hümer
;
T. Erlbacher
;
A. J. Bauer
;
L. Frey
会议名称:
《》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Thyristors;
Silicon;
Voltage control;
JFETs;
Temperature;
14.
Enhanced low-temperature oxidation of 4H-SiC using SrTi1−xMgxO3−δ
机译:
使用SrTi1-xMgxO3-δ增强4H-SiC的低温氧化
作者:
Li Li
;
Akihiro Ikeda
;
Tanemasa Asano
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Oxidation;
Interface states;
Face;
Temperature;
Logic gates;
Furnaces;
15.
Collector conductivity modulation in 1200-V 4H-SiC BJTs (Modeling)
机译:
1200V 4H-SiC BJT中的集电极电导率调制(建模)
作者:
P. A. Ivanov
;
V. S. Yuferev
;
M. E. Levinshtein
;
Jon Q. Zhang
;
J. W. Palmour
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Resistance;
Modulation;
Junctions;
Transistors;
Conductivity;
Switching circuits;
16.
10+ kV implantation-free 4H-SiC PiN diodes
机译:
10+ kV免注入4H-SiC PiN二极管
作者:
Arash Salemi
;
Hossein Elahipanah
;
Carl-Mikael Zetterling
;
Mikael Östling
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
PIN photodiodes;
Junctions;
Conductivity;
Voltage measurement;
Current measurement;
Silicon carbide;
Ion implantation;
17.
Effect of neutron irradiation on epitaxial 4H-SiC PiN UV-photodiodes
机译:
中子辐照对外延4H-SiC PiN紫外光电二极管的影响
作者:
A. V. Afanasyev
;
V. A. Ilyin
;
V. V. Luchinin
;
S. A. Reshanov
;
A. Schöner
;
K. A. Sergushichev
;
A. A. Smimov
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Neutrons;
Radiation effects;
Resistance;
Degradation;
Silicon carbide;
Pins;
Nonhomogeneous media;
18.
Properties of SiO2/4H-SiC interfaces with an oxide deposited by a high-temperature process
机译:
SiO2 / 4H-SiC与高温工艺沉积的氧化物的界面性质
作者:
Marilena Vivona
;
Patrick Fiorenza
;
Ferdinando Iucolano
;
Andrea Severino
;
Simona Lorenti
;
Fabrizio Roccaforte
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Interface states;
Temperature;
MOS capacitors;
Nitrogen;
Annealing;
Silicon carbide;
19.
High frequency power supply with 3.3 kV SiC-MOSFETs for accelerator application
机译:
用于加速器应用的带有3.3 kV SiC-MOSFET的高频电源
作者:
Katsuya Okamura
;
Ken Takayama
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Switches;
Prototypes;
Resistors;
Power supplies;
MOSFET;
Acceleration;
Performance evaluation;
20.
Creation and functionalization of defects in SiC by proton beam writing
机译:
通过质子束写入在SiC中产生缺陷并使其功能化
作者:
T. Ohshima
;
T. Honda
;
S. Onoda
;
T. Makino
;
M. Haruyama
;
T. Kamiya
;
T. Satoh
;
Y. Hijikata
;
W. Kada
;
O. Hanaizumi
;
A. Lohrmann
;
J. R. Klein
;
B. C. Johnson
;
J. C. McCallum
;
S. Castelletto
;
B. C. Gibson
;
H. Kraus
;
V. Dyakonov
;
G. V. Astakhov
会议名称:
《》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Particle beams;
Silicon;
Writing;
Australia;
Photonics;
Ions;
21.
Investigation on wet etching 4H-SiC damaged by ion implantation
机译:
离子注入损伤湿法刻蚀4H-SiC的研究
作者:
Sophie Guillemin
;
Romain Esteve
;
Christian Heidom
;
Gerald Unegg
;
Gerald Reinwald
;
Marcella Hartl
;
Daniel Kueck
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Wet etching;
Silicon carbide;
Ions;
Scanning electron microscopy;
Ion implantation;
22.
Degradation of 600-V 4H-SiC Schottky diodes under irradiation with 0.9 MeV electrons
机译:
0.9 MeV电子辐照下600 V 4H-SiC肖特基二极管的降解
作者:
A. A. Lebedev
;
K. S. Davydovskaya
;
V. V. Kozlovski
;
O. Korolkov
;
N. Sleptsuk
;
J. Toompuu
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Schottky diodes;
Radiation effects;
Degradation;
Resistance;
Silicon;
P-i-n diodes;
23.
Universal parameter evaluating SiO2/SiC interface quality based on scanning nonlinear dielectric microscopy
机译:
基于扫描非线性介电显微镜的SiO2 / SiC界面质量评价通用参数
作者:
Norimichi Chinone
;
Alpana Nayak
;
Ryoji Kosugi
;
Yasunori Tanaka
;
Shinsuke Harada
;
Yuji Kiuchi
;
Hajime Okumura
;
Yasuo Cho
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Semiconductor device measurement;
Dielectrics;
Microscopy;
Dielectric measurement;
Fabrication;
Silicon carbide;
Conductivity measurement;
24.
Switching SiC devices faster and more efficient using a DBC mounted terminal decoupling Si-RC element
机译:
使用安装了DBC的终端去耦Si-RC元件更快,更高效地切换SiC器件
作者:
S. Matlok
;
T. Erlbacher
;
F. Krach
;
B. Eckardt
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Switches;
Silicon carbide;
Multichip modules;
Silicon;
Inductance;
Damping;
Capacitance;
25.
Investigation of carrot reduction effect on 4H-silicon carbide epitaxial wafers with optimized buffer layer
机译:
优化缓冲层的4H-碳化硅外延片上胡萝卜还原效果的研究
作者:
Y. Mabuchi
;
T. Masuda
;
D. Muto
;
K. Momose
;
H. Osawa
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Epitaxial growth;
Silicon carbide;
Buffer layers;
MOSFET;
Substrates;
Surface morphology;
Morphology;
26.
Influence of growth temperature on site competition effects during chemical vapor deposition of 4H-SiC layers
机译:
生长温度对4H-SiC层化学气相沉积过程中位点竞争效应的影响
作者:
Marcin Zielinski
;
Thierry Chassagne
;
Roxana Arvinte
;
Adrien Michon
;
Marc Portail
;
Sylvie Contreras
;
Sandrine Juillaguet
;
Hervé Peyre
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Films;
Silicon carbide;
Carbon;
Nitrogen;
Chemical vapor deposition;
Doping;
Surface treatment;
27.
Improvement of quality of thick 4H-SiC epilayers
机译:
改善4H-SiC厚外延层的质量
作者:
Akira Miyasaka
;
Kazutoshi Kojima
;
Kenji Momose
;
Hiroshi Osawa
;
Hajime Okumura
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Epitaxial growth;
Stacking;
Silicon carbide;
Insulated gate bipolar transistors;
Inductors;
Temperature measurement;
Atom optics;
28.
Thermal and lattice misfit stress relaxation in growing AIN crystal with simultaneous evaporation of SiC substrate
机译:
同时生长SiC衬底的AIN晶体中热和晶格失配应力松弛
作者:
T. S. Argunova
;
M. Yu. Gutkin
;
K. D. Shcherbachev
;
S. S. Nagalyuk
;
O. P. Kazarova
;
E. N. Mokhov
;
J. H. Je
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Aluminum nitride;
III-V semiconductor materials;
Substrates;
Silicon carbide;
Crystals;
Gallium nitride;
Stress;
29.
Optimization of 4H-SiC photodiodes as selective UV sensors
机译:
优化4H-SiC光电二极管作为选择性UV传感器
作者:
Christian D. Matthus
;
Alex Burenkov
;
Tobias Erlbacher
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Photodiodes;
Numerical models;
Optimization;
Numerical simulation;
Doping profiles;
Sensor systems;
30.
Structure and surface morphology of thermal SiO2 grown on 4H-SiC by metal-enhanced oxidation using barium
机译:
钡金属增强氧化在4H-SiC上生长的热SiO2的结构和表面形态
作者:
Atthawut Chanthaphan
;
Yoshihito Katsu
;
Takuji Hosoi
;
Takayoshi Shimura
;
Heiji Watanabe
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Barium;
Surface morphology;
Oxidation;
Silicon carbide;
Surface treatment;
Atomic layer deposition;
Silicon;
31.
Reduction of dislocation density of SiC crystals grown on seeds after H2 etching
机译:
降低H2蚀刻后在种子上生长的SiC晶体的位错密度
作者:
Xiufang Chen
;
Fusheng Zhang
;
Xianglong Yang
;
Yan Peng
;
Xuejian Xie
;
Tian Li
;
Xiaobo Hu
;
Xiangang Xu
;
Guanglei Li
;
Ruiqi Wang
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Crystals;
Silicon carbide;
Etching;
Surface morphology;
Thermal stability;
Morphology;
32.
Thermo-mechanical reliability and performance degradation of a lead-free RF power amplifier with GaN-on-SiC HEMTs
机译:
GaN-on-SiC HEMT的无铅射频功率放大器的热机械可靠性和性能下降
作者:
J. Lang
;
I. Belov
;
J. Hellén
;
J.-K. Lim
;
B. Schodt
;
T. Nilsson
;
R. Poder
;
M. Bakowski
;
P. Leisner
会议名称:
《》
|
2016年
关键词:
Radio frequency;
Power amplifiers;
HEMTs;
MODFETs;
Reliability;
Gallium nitride;
Thermomechanical processes;
33.
Very high sustainable forward current densities on 4H-SiC p-n junctions formed by VLS localized epitaxy of heavily Al-doped p++ emitters
机译:
由重掺杂Al的p ++发射极的VLS局部外延形成的4H-SiC p-n结上的非常高的可持续正向电流密度
作者:
S. Sejil
;
L. Lalouat
;
M. Lazar
;
D. Carole
;
C. Brylinski
;
F. Jomard
;
D. Planson
;
G. Ferro
;
C. Raynaud
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Doping;
Epitaxial growth;
Current density;
P-n junctions;
Silicon carbide;
Ohmic contacts;
PIN photodiodes;
34.
Design optimization of a high temperature 1.2 kV 4H-SiC buried grid JBS rectifier
机译:
1.2 kV 4H-SiC高温掩埋式JBS高温整流器的设计优化
作者:
H. Elahipanah
;
N. Thierry-Jebali
;
S. A. Reshanov
;
W. Kaplan
;
A. Zhang
;
J.-K. Lim
;
M. Bakowski
;
M. Östling
;
A. Schöner
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Schottky barriers;
Leakage currents;
Temperature measurement;
Electric fields;
Junctions;
Schottky diodes;
Voltage measurement;
35.
The effect of charge redistribution on flat-band voltage turnaround in 4H-SiC MOS capacitors
机译:
电荷重新分布对4H-SiC MOS电容器中平带电压周转的影响
作者:
Hamid Amini Moghadam
;
Sima Dimitrijev
;
Jisheng Han
;
Daniel Haasmann
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
MOS capacitors;
Threshold voltage;
Logic gates;
MOSFET;
Australia;
Voltage measurement;
Temperature measurement;
36.
Three dimensional dislocation analysis of threading mixed dislocation using multi directional scanning transmission electron microscopy
机译:
多方向扫描透射电子显微镜对穿线混合位错的三维位错分析
作者:
Takahiro Sato
;
Yuya Suzuki
;
Hiroyuki Ito
;
Toshiyuki Isshiki
;
Kuniyasu Nakamura
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Scanning electron microscopy;
Surface morphology;
Transmission electron microscopy;
Surface treatment;
Power electronics;
37.
On electrons mobility in heavily nitrogen doped 4H-SiC
机译:
重氮掺杂4H-SiC中的电子迁移率
作者:
Konstantin V. Vasilevskiy
;
Sandip K. Roy
;
Neal Wood
;
Alton B. Horsfall
;
Nick G. Wright
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Nitrogen;
Electron mobility;
Temperature measurement;
Crystals;
Ion implantation;
Epitaxial layers;
Conductivity;
38.
Ni-Al-Ti ohmic contacts on Al implanted 4H-SiC
机译:
铝注入的4H-SiC上的Ni-Al-Ti欧姆接触
作者:
P. Fedeli
;
M. Puzzanghera
;
F. Moscatelli
;
R. A. Minamisawa
;
G. Alfieri
;
U. Grossner
;
R. Nipoti
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Alloying;
Ohmic contacts;
Contact resistance;
Nickel;
Films;
Temperature measurement;
39.
Simulation study of switching-dependent device parameters of high voltage 4H-SiC GTOs
机译:
高压4H-SiC GTO的开关相关器件参数的仿真研究
作者:
Aderinto Ogunniyi
;
James Schröck
;
Miguel Hinojosa
;
Heather OBrien
;
Aivars Lelis
;
Stephen Bayne
;
Sei-Hyung Ryu
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Logic gates;
Switches;
Thyristors;
Current density;
Performance evaluation;
Substrates;
40.
4H-SiC trench structure fabrication with Al2O3 etching mask
机译:
用Al2O3刻蚀掩模制作4H-SiC沟槽结构
作者:
T. Dai
;
Z. Mohammadi
;
S. A. O. Russell
;
C. A. Fisher
;
M. R. Jennings
;
P. A. Mawby
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Aluminum oxide;
MOSFET;
Nickel;
Fabrication;
Silicon carbide;
Dry etching;
41.
Nanostructuring of graphene on semi-insulating SiC
机译:
半绝缘SiC上石墨烯的纳米结构
作者:
Bernd Hähnlein
;
Manuela Breiter
;
Thomas Stauden
;
Jörg Pezoldt
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Graphene;
Electron beams;
Scanning electron microscopy;
Scattering;
Substrates;
Lithography;
Etching;
42.
Depth-resolved carrier lifetime measurements in 4H-SiC epilayers monitoring carbon vacancy elimination
机译:
监测碳空位消除的4H-SiC外延层中深度分辨的载流子寿命测量
作者:
Augustinas Galeckas
;
Hussein M. Ayedh
;
J. Peder Bergman
;
Bengt G. Svensson
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Charge carrier lifetime;
Carbon;
Epitaxial layers;
Monitoring;
Limiting;
Temperature measurement;
Annealing;
43.
4H-SiC pseudo-CMOS logic inverters for harsh environment electronics
机译:
适用于恶劣环境电子产品的4H-SiC伪CMOS逻辑反相器
作者:
S-I. Kuroki
;
T. Kurose
;
H. Nagatsuma
;
S. Ishikawa
;
T. Maeda
;
H. Sezaki
;
T. Kikkawa
;
T. Makino
;
T. Ohshima
;
M. Östling
;
C.-M. Zetterling
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Pulse inverters;
MOSFET circuits;
MOS devices;
Integrated circuits;
Logic gates;
44.
Correlation between local strain distribution and microstructure of grinding-induced damage layers in 4H-SiC(0001)
机译:
4H-SiC(0001)中磨削损伤层局部应变分布与显微组织的相关性
作者:
Susumu Tsukimoto
;
Tatsuhiko Ise
;
Genta Maruyama
;
Satoshi Hashimoto
;
Tsuguo Sakurada
;
Junji Senzaki
;
Tomohisa Kato
;
Kazutoshi Kojima
;
Hajime Okumura
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Strain;
Microstructure;
Backscatter;
Diffraction;
Surface treatment;
Silicon carbide;
Lattices;
45.
Total dose effects on 4H-SiC bipolar junction transistors
机译:
总剂量对4H-SiC双极结型晶体管的影响
作者:
S. S. Suvanam
;
L. Lanni
;
B. G. Malm
;
C.-M. Zetterling
;
A. Hallén
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Protons;
Radiation effects;
Silicon;
Silicon carbide;
Junctions;
Transistors;
Ionization;
46.
16 kV, 75 kHz, 50 duty cycle, SiC photonic based bulk conduction power switch development
机译:
16 kV,75 kHz,50%占空比,基于SiC光子的体导电功率开关开发
作者:
K. C. Sampayan
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Optical switches;
Photonics;
Junctions;
Conductivity;
Silicon carbide;
Voltage control;
47.
0.97 mΩcm2/820 V 4H-SiC super junction V-groove trench MOSFET
机译:
0.97mΩcm2/ 820 V 4H-SiC超结V形沟槽MOSFET
作者:
T. Masuda
;
R. Kosugi
;
T. Hiyoshi
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
MOSFET;
Face;
Doping;
Resistance;
Junctions;
Logic gates;
Semiconductor device reliability;
48.
Switching analysis for all-SiC module
机译:
全SiC模块的开关分析
作者:
Shinji Sato
;
Hidekazu Tanisawa
;
Kenichi Koui
;
Hiroki Takahashi
;
Yoshinori Murakami
;
Fumiki Kato
;
Kinuyo Watanabe
;
Hiroshi Sato
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Multichip modules;
Silicon carbide;
Switches;
Analytical models;
Capacitance;
Switching loss;
Gallium nitride;
49.
Investigation of the surface morphology and stacking fault nucleation on the (000-1)C facet of heavily nitrogen-doped 4H-SiC boules
机译:
重氮掺杂4H-SiC球团(000-1)C面上的表面形态和堆垛层错成核的研究
作者:
Kohei Ohtomo
;
Nana Matsumoto
;
Koji Ashida
;
Tadaaki Kaneko
;
Noboru Ohtani
;
Masakazu Katsuno
;
Shinya Sato
;
Hiroshi Tsuge
;
Tatsuo Fujimoto
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Stacking;
Crystals;
Nitrogen;
Surface morphology;
Morphology;
Decision support systems;
Silicon carbide;
50.
Performance evaluation and expected challenges of silicon carbide power MOSFETs for high voltage applications
机译:
高压应用碳化硅功率MOSFET的性能评估和预期挑战
作者:
Munaf Rahimo
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
MOSFET;
Silicon;
Performance evaluation;
Insulated gate bipolar transistors;
Schottky diodes;
51.
Understanding high temperature static and dynamic characteristics of 1.2 kV SiC power MOSFETs
机译:
了解1.2 kV SiC功率MOSFET的高温静态和动态特性
作者:
Siyang Liu
;
Yifan Jiang
;
Woongje Sung
;
Xiaoqing Song
;
B.J. Baliga
;
Weifeng Sun
;
Alex Q. Huang
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Temperature;
Silicon carbide;
Temperature measurement;
MOSFET;
Power electronics;
Threshold voltage;
52.
Challenges on drive circuit design for series-connected SiC power transistors
机译:
串联连接的SiC功率晶体管的驱动电路设计面临的挑战
作者:
Peftitsis Dimosthenis
;
Rabkowski Jacek
;
Nee Hans-Peter
;
Undeland Tore
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Transistors;
Power transistors;
Power systems;
Logic gates;
Switching circuits;
Fabrication;
53.
Silicon carbide radiation detectors for medical applications
机译:
医疗用碳化硅辐射探测器
作者:
N. S. Mohamed
;
M. I. Idris
;
N. G. Wright
;
A. B. Horsfall
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Sensitivity;
Schottky diodes;
Linearity;
Voltage measurement;
Medical services;
Biomedical equipment;
Temperature measurement;
54.
SiC Schottky diode rectifier bridge represented as diffusion-welded stack
机译:
SiC肖特基二极管整流桥表示为扩散焊接堆
作者:
Oleg Korolkov
;
Vitali Kozlovski
;
Alexander Lebedev
;
Raul Land
;
Natalja Sleptsuk
;
Jana Toompuu
;
Toomas Rang
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Schottky diodes;
Silicon carbide;
Bridge circuits;
Rectifiers;
Welding;
Prototypes;
55.
Corona assisted Ga based nanowire growth on 3C-SiC(111)/Si(111) pseudosubstrates
机译:
电晕辅助Ga基纳米线在3C-SiC(111)/ Si(111)伪衬底上的生长
作者:
Johannes Reiprich
;
Thomas Stauden
;
Theresa Berthold
;
Marcel Himmerlich
;
Jörg Pezoldt
;
Heiko O. Jacobs
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Gallium;
Corona;
Substrates;
Plasmas;
Epitaxial growth;
Discharges (electric);
Gallium nitride;
56.
Evaluation and reduction of epitaxial wafer defects resulting from carbon-inclusion defects in 4H-SiC substrate
机译:
评估和减少4H-SiC衬底中由碳夹杂物缺陷引起的外延晶片缺陷
作者:
Ling Guo
;
Koji Kamei
;
Kenji Momose
;
Hiroshi Osawa
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Epitaxial growth;
Silicon carbide;
Substrates;
Schottky barriers;
Schottky diodes;
Carbon;
57.
Simulation of 4H-SiC trench junction barrier Schottky diodes with high-k dielectrics
机译:
具有高k电介质的4H-SiC沟槽结势垒肖特基二极管的仿真
作者:
Shuai Yang
;
Qing Wen Song
;
Xiao Yan Tang
;
Yi Meng Zhang
;
Yu Ming Zhang
;
Yi Men Zhang
;
Hao Yuan
;
Qiu Jie Sun
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
High K dielectric materials;
Schottky diodes;
Dielectrics;
Junctions;
Electric fields;
Performance evaluation;
58.
Quantitative investigation of near interface traps in 4H-SiC MOSFETs via drain current deep level transient spectroscopy
机译:
通过漏极电流深电平瞬态光谱法定量研究4H-SiC MOSFET中的近界面陷阱
作者:
M. Hauck
;
J. Weisse
;
J. Lehmeyer
;
G. Pobegen
;
H. B. Weber
;
M. Krieger
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
MOSFET;
Hall effect;
Current measurement;
Transient analysis;
Atmospheric measurements;
Nitrogen;
Pulse measurements;
59.
On deep level transient spectroscopy of extended defects in n-Type 4H-SiC
机译:
n型4H-SiC中扩展缺陷的深层瞬态光谱学
作者:
J. Weber
;
H. B. Weber
;
M. Krieger
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Capacitance-voltage characteristics;
Semiconductor device measurement;
Schottky barriers;
Transient analysis;
Spectroscopy;
Stacking;
Filling;
60.
Detection of crystallographic defects in 3C-SiC by micro-Raman and micro-PL analysis
机译:
显微拉曼和显微PL分析检测3C-SiC中的晶体缺陷
作者:
Grazia Litrico
;
Nicolò Piluso
;
Francesco La Via
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Charge carrier density;
Laser modes;
Optical films;
Optical scattering;
Phonons;
Laser excitation;
61.
6.5 kV 4H-SiC PiN diodes without bipolar degradation
机译:
6.5 kV 4H-SiC PiN二极管,无双极性退化
作者:
Yuan Bu
;
Hiroyuki Yoshimoto
;
Kumiko Konishi
;
Akio Shima
;
Yasuhiro Shimamoto
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Semiconductor diodes;
PIN photodiodes;
Degradation;
Fabrication;
Temperature measurement;
Switches;
62.
Impact of channel mobility improvement using boron diffusion on different power MOSFETs voltage classes
机译:
使用硼扩散改善沟道迁移率对不同功率MOSFET电压等级的影响
作者:
Victor Soler
;
Maria Gabello
;
Maxime Berthou
;
Josep Montserrat
;
José Rebollo
;
Philippe Godignon
;
Enea Bianda
;
Andrei Mihaila
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Boron;
Silicon carbide;
MOSFET;
Logic gates;
Temperature;
Doping;
Diffusion processes;
63.
Hydrogen etching influence on 4H-SiC homo-epitaxial layer for high power device
机译:
氢蚀刻对大功率器件4H-SiC同质外延层的影响
作者:
R. Anzalone
;
N. Piluso
;
M. Salanitri
;
S. Lorenti
;
G. Arena
;
S. Coffa
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Etching;
Silicon carbide;
Substrates;
Epitaxial layers;
Silicon;
Hydrogen;
64.
Density functional theory on NV center in 4H SiC
机译:
4H SiC中NV中心的密度泛函理论
作者:
András Csóré
;
Ádám Gali
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Diamond;
Biomedical optical imaging;
Optical polarization;
Density functional theory;
Quantum computing;
Stationary state;
65.
Influence of n-type doping levels on carrier lifetime in 4H-SiC epitaxial layers
机译:
n型掺杂水平对4H-SiC外延层载流子寿命的影响
作者:
Louise Lilja
;
Ildiko Farkas
;
Ian Booker
;
Jawad ul Hassan
;
Erik Janzén
;
Peder Bergman
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Charge carrier lifetime;
Doping;
Epitaxial layers;
Substrates;
Silicon carbide;
Chemistry;
Photoluminescence;
66.
New efficient canal of THz emission from SiC natural superlattices in conditions of Wannier-Stark localization
机译:
Wannier-Stark局域化条件下SiC天然超晶格新型高效THz发射管
作者:
V. I. Sankin
;
A. V. Andrianov
;
A. G. Petrov
;
S. S. Nagalyuk
;
P. P. Shkrebiy
;
A. O. Zacharin
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Oscillators;
Superlattices;
Silicon carbide;
Electric fields;
Electroluminescence;
Electromagnetic radiation;
Irrigation;
67.
Analysis self-healing of gate leakage current due to oxide traps to improve reliability of gate electrode
机译:
分析由氧化物陷阱引起的栅极泄漏电流的自修复,以提高栅电极的可靠性
作者:
S. Sato
;
H. Shimizu
;
A. Shima
;
Y. Shimamoto
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Oxidation;
Reliability;
Silicon carbide;
Substrates;
Leakage currents;
Electrodes;
68.
Anomalous Fowler-Nordheim tunneling through SiO2/4H-SiC barrier investigated by temperature and time dependent gate current measurements
机译:
通过与温度和时间相关的栅极电流测量研究了通过SiO2 / 4H-SiC势垒的异常Fowler-Nordheim隧道
作者:
P. Fiorenza
;
A. La Magna
;
M. Vivona
;
F. Giannazzo
;
F. Roccaforte
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
MOSFET;
Tunneling;
Current measurement;
Temperature dependence;
Temperature measurement;
Analytical models;
69.
Silicon deposition on 3C-SiC seeds of different orientations
机译:
不同方向的3C-SiC晶种上的硅沉积
作者:
Yeghoyan Taguhi
;
Alassaad Kassem
;
Souliere Véronique
;
Ferro Gabriel
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon;
Silicon carbide;
Epitaxial growth;
Substrates;
Standards;
Inductors;
Focusing;
70.
Solvent design for high-purity SiC solution growth
机译:
用于高纯度SiC溶液生长的溶剂设计
作者:
Shunta Harada
;
Goki Hatasa
;
Kenta Murayama
;
Tomohisa Kato
;
Miho Tagawa
;
Toru Ujihara
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Solvents;
Silicon carbide;
Impurities;
Crystals;
Carbon;
Metals;
71.
High temperature reliability assessment and degradation analysis for diamond semiconductor devices
机译:
金刚石半导体器件的高温可靠性评估和退化分析
作者:
Satoshi Tanimoto
;
Tatsuhiro Suzuki
;
Sawa Araki
;
Toshiharu Makino
;
Hiromitsu Kato
;
Masahiko Ogura
;
Satoshi Yamasaki
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Diamond;
Degradation;
Plasma temperature;
Reliability;
Junctions;
Schottky diodes;
72.
A built-in high temperature half-bridge power module with low stray inductance and low thermal resistance for in-wheel motor application
机译:
内置的高温半桥功率模块,具有低杂散电感和低热阻,适用于轮毂电机应用
作者:
Tatsuhiro Suzuki
;
Mari Yamashita
;
Tetsuya Mori
;
Sawa Araki
;
Satoshi Tanimoto
;
Shota Iizuka
;
Yuuta Niitsuma
;
Kan Akatsu
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Multichip modules;
Inductance;
Thermal resistance;
Substrates;
Inverters;
Temperature measurement;
73.
Localized surface plasmon on 6H SiC with Ag nanoparticles
机译:
Ag纳米粒子在6H SiC上的局部表面等离子体激元
作者:
Yi Wei
;
Ahmed Fadil
;
Haiyan Ou
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Photoluminescence;
Plasmons;
Nanoparticles;
Substrates;
Temperature measurement;
Radiative recombination;
74.
Effect of annealing on the characteristics of Ti/Al ohmic contacts to p-Type 4H-SiC
机译:
退火对p型4H-SiC Ti / Al欧姆接触特性的影响
作者:
Tang Yi-Dan
;
Shen Hua-Jun
;
Zhang Xu-Fang
;
Guo Fei Bai Yun
;
Peng Zhao-Yang
;
Liu Xin-Yu
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Ohmic contacts;
Silicon carbide;
Annealing;
X-ray scattering;
Temperature measurement;
Microstructure;
Metals;
75.
Effect of 3C-SiC irradiation with 8 MeV protons
机译:
8 MeV质子辐照3C-SiC的效果
作者:
A. A. Lebedev
;
B. Ya. Ber
;
G. A. Oganesyan
;
S. V. Belov
;
N. V. Seredova
;
I. P. Nikitina
;
S. P. Lebedev
;
L. V. Shakhov
;
V. V. Kozlovski
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Substrates;
Radiation effects;
Protons;
Crystals;
Photoluminescence;
Hall effect;
76.
Barrier stability of Pt/4H-SiC Schottky diodes used for high temperature sensing
机译:
用于高温感应的Pt / 4H-SiC肖特基二极管的势垒稳定性
作者:
G. Pristavu
;
G. Brezeanu
;
M. Badila
;
F. Draghici
;
R. Pascu
;
F. Craciunoiu
;
I. Rusu
;
A. Pribeanu
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Temperature sensors;
Schottky diodes;
Schottky barriers;
Nonhomogeneous media;
Temperature;
77.
Numerical study of energy capability of Si/SiC LDMOSFETs
机译:
Si / SiC LDMOSFET能量容量的数值研究
作者:
C. W. Chan
;
F. Li
;
P. A. Mawby
;
P. M. Gammon
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon;
Silicon carbide;
Silicon-on-insulator;
Substrates;
Resistance;
Heating;
Integrated circuit modeling;
78.
Two-dimensional imaging of trap distribution in SiO2/SiC interface using local deep level transient spectroscopy based on super-higher-order scanning nonlinear dielectric microscopy
机译:
基于超高阶扫描非线性介电显微镜的局部深层瞬态光谱技术对SiO2 / SiC界面中陷阱分布的二维成像
作者:
Norimichi Chinone
;
Ryoji Kosugi
;
Yasunori Tanaka
;
Shinsuke Harada
;
Hajime Okumura
;
Yasuo Cho
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Microscopy;
Dielectrics;
Transient analysis;
Spectroscopy;
Semiconductor device measurement;
Electron traps;
79.
Point contact current voltage measurements of 4H-SiC samples with different doping profiles
机译:
不同掺杂轮廓的4H-SiC样品的点接触电流电压测量
作者:
M. Kocher
;
M. Niebauer
;
M. Rommel
;
V. Haeublein
;
A. J. Bauer
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Semiconductor device measurement;
Electrical resistance measurement;
Voltage measurement;
Current measurement;
Temperature measurement;
Doping profiles;
Epitaxial layers;
80.
Low density of near-interface traps at the AI2O3/4H-SIC interface with Al2O3 made by low temperature oxidation of Al
机译:
AI2O3 / 4H-SIC与Al2O3的界面氧化层的低密度陷阱
作者:
Rabia Y. Khosa
;
Einar Ö. Sveinbjömsson
;
Michael Winters
;
Jawad ul Hassan
;
Robin Karhu
;
Erik Janzén
;
Niklas Rorsman
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Aluminum oxide;
Oxidation;
Films;
Logic gates;
Dielectrics;
MOS devices;
Hafnium compounds;
81.
Al+ ion implanted 4H-SiC vertical p+-i-n diodes: Processing dependence of leakage currents and OCVD carrier lifetimes
机译:
注入Al +离子的4H-SiC垂直p + -i-n二极管:漏电流和OCVD载流子寿命的处理依赖性
作者:
R. Nipoti
;
M. Puzzanghera
;
G. Sozzi
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Annealing;
P-i-n diodes;
Charge carrier lifetime;
Leakage currents;
Ions;
Voltage measurement;
Ion implantation;
82.
Ultrahigh-temperature oxidation of 4H-SiC(0001) and an impact of cooling process on SiO2/SiC interface properties
机译:
4H-SiC(0001)的超高温氧化及冷却工艺对SiO2 / SiC界面性能的影响
作者:
Takuji Hosoi
;
Daisuke Nagai
;
Mitsuru Sometani
;
Takayoshi Shimura
;
Manabu Takei
;
Heiji Watanabe
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Oxidation;
Rapid thermal annealing;
Rapid thermal processing;
Cooling;
Temperature distribution;
Temperature dependence;
83.
Conductance signal from near-interface traps in n-type 4H-SiC MOS capacitors under strong accumulation
机译:
强累积下来自n型4H-SiC MOS电容器中近界面陷阱的电导信号
作者:
R. Y. Khosa
;
E. Ö. Sveinbjörnsson
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
MOS capacitors;
Electron traps;
Sodium;
Tunneling;
Silicon carbide;
Temperature measurement;
Capacitance-voltage characteristics;
84.
Functional oxide as an extreme high-k dielectric towards 4H-SiC MOSFET incorporation
机译:
功能性氧化物作为面向4H-SiC MOSFET的极高k电介质
作者:
Stephen A. O. Russell
;
Michael R. Jennings
;
Tianxiang Dai
;
Fan Li
;
Dean P. Hamilton
;
Craig A. Fisher
;
Yogesh K. Sharma
;
Philip A. Mawby
;
Amador Pérez-Tomás
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Aluminum oxide;
Silicon carbide;
High K dielectric materials;
Dielectrics;
MOSFET;
Buffer layers;
Fans;
85.
High temperature grown graphene on SiC studied by Raman and FTIR spectroscopy
机译:
拉曼光谱和FTIR光谱研究SiC上高温生长的石墨烯
作者:
Manuel Auge
;
Bernd Hähnlein
;
Marco Eckstein
;
Georg Woltersdorf
;
Jörg Pezoldt
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Graphene;
Spectroscopy;
Silicon carbide;
Epitaxial growth;
Raman scattering;
Atmosphere;
Two dimensional displays;
86.
Lifetime control in SiC PiN diodes using radiation defects
机译:
利用辐射缺陷控制SiC PiN二极管的寿命
作者:
P. Hazdra
;
S. Popelka
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Radiation effects;
Protons;
PIN photodiodes;
Spontaneous emission;
Anodes;
Optimization;
87.
CVD growth of graphene on SiC (0001): Influence of substrate offcut
机译:
石墨烯在SiC(0001)上的CVD生长:基片切割的影响
作者:
Roy Dagher
;
Benoit Jouault
;
Matthieu Paillet
;
Maxime Bayle
;
Luan Nguyen
;
Marc Portail
;
Marcin Zielinski
;
Thierry Chassagne
;
Yvon Cordier
;
Adrien Michon
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Graphene;
Substrates;
Silicon carbide;
Buffer layers;
Silicon;
Strain;
Atmosphere;
88.
Demonstration of SiC-MOSFET embedding Schottky barrier diode for inactivation of parasitic body diode
机译:
SiC-MOSFET嵌入肖特基势垒二极管用于寄生体二极管失活的演示
作者:
S. Hino
;
H. Hatta
;
K. Sadamatsu
;
Y. Nagahisa
;
S. Yamamoto
;
T. Iwamatsu
;
Y. Yamamoto
;
M. Imaizumi
;
S. Nakata
;
S. Yamakawa
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
MOSFET;
Schottky diodes;
Current density;
Immune system;
Schottky barriers;
Electric potential;
Virtual private networks;
89.
3C-SiC bulk sublimation growth on CVD hetero-epitaxial seeding layers
机译:
CVD异质外延晶种层上的3C-SiC整体升华生长
作者:
P. Schuh
;
G. Litrico
;
F. La Via
;
M. Mauceri
;
P. J. Wellmann
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Substrates;
Epitaxial growth;
Grain boundaries;
Silicon;
Chemical vapor deposition;
MOSFET;
90.
Detection of crystal defects in high doped epitaxial layers and substrates by photoluminescence
机译:
通过光致发光检测高掺杂外延层和衬底中的晶体缺陷
作者:
Hrishikesh Das
;
Swapna Sunkari
;
Hans Naas
;
Martin Domeij
;
Andrei Konstantinov
;
Fredrik Allerstam
;
Thomas Neyer
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Epitaxial layers;
Substrates;
Photoluminescence;
Buffer layers;
Grain boundaries;
Fasteners;
91.
Feasibility of SiC threshold voltage drift characterization for reliability assessment in production environments
机译:
SiC阈值电压漂移特性在生产环境中进行可靠性评估的可行性
作者:
Daniel B. Habersat
;
Ron Green
;
Aivars J. Lelis
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Stress;
Standards;
Silicon carbide;
Interrupters;
Threshold voltage;
Current measurement;
Stress measurement;
92.
Analysis of trench-filling epitaxial growth of 4H-SiC based on continuous fluid approximation including Gibbs-Thomson effect
机译:
基于包括吉布斯-汤姆森效应的连续流体逼近分析4H-SiC的沟槽填充外延生长
作者:
Kazuhiro Mochizuki
;
Shiyang Ji
;
Ryoji Kosugi
;
Kazutoshi Kojima
;
Yoshiyuki Yonezawa
;
Hajime Okumura
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Fluids;
Silicon carbide;
Silicon;
Semiconductor process modeling;
Analytical models;
Molecular beam epitaxial growth;
93.
Point defects investigation of high energy proton irradiated SiC p+-i-n diodes
机译:
高能质子辐照SiC p + -n-n二极管的点缺陷研究
作者:
G. Alfieri
;
A. Mihaila
;
R. Nipoti
;
M. Puzzanghera
;
G. Sozzi
;
P. Godignon
;
J. Milan
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Protons;
Radiation effects;
Transient analysis;
Spectroscopy;
Capacitance;
Silicon carbide;
Image edge detection;
94.
Dynamic characterization of the threshold voltage instability under the pulsed gate bias stress in 4H-SiC MOSFET
机译:
4H-SiC MOSFET的脉冲栅极偏置应力下阈值电压不稳定性的动态表征
作者:
Mitsuo Okamoto
;
Mitsuru Sometani
;
Shinsuke Harada
;
Hiroshi Yano
;
Hajime Okumura
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Stress;
Stress measurement;
Temperature measurement;
Pulse measurements;
Threshold voltage;
MOSFET;
95.
SEM and ECC imaging study of step-bunched structure on 4H-SiC epitaxial layers
机译:
4H-SiC外延层上阶梯状结构的SEM和ECC成像研究
作者:
Yuki Tabuchi
;
Masashi Sonoda
;
Koji Ashida
;
Tadaaki Kaneko
;
Noboru Ohtani
;
Masakazu Katsuno
;
Shinya Sato
;
Hiroshi Tsuge
;
Tatsuo Fujimoto
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Surface morphology;
Epitaxial layers;
Silicon carbide;
Scanning electron microscopy;
Substrates;
96.
New evidence for the second conduction band in 4H SiC
机译:
4H SiC中第二导带的新证据
作者:
Walter Klahold
;
Charles Tabachnick
;
Gabriel Freedman
;
R. P. Devaty
;
W. J. Choyke
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Absorption;
Extraterrestrial measurements;
Excitons;
Phonons;
Orbits;
Crystals;
97.
Effect of neutron irradiation on SiC etching in KOH melt
机译:
中子辐照对KOH熔体中SiC蚀刻的影响
作者:
E. N. Mokhov
;
O. P. Kazarova
;
S. S. Nagalyuk
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Etching;
Radiation effects;
Crystals;
Neutrons;
Annealing;
Chemicals;
98.
Comprehensive and detailed study on the modeling of commercial SiC power MOSFET devices using TCAD
机译:
使用TCAD对商用SiC功率MOSFET器件进行建模的全面详细研究
作者:
Johanna Müting
;
Bhagyalakshmi Kakarla
;
Ulrike Grossner
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Scattering;
Mathematical model;
Semiconductor device modeling;
Silicon carbide;
MOSFET;
Rough surfaces;
Surface roughness;
99.
A method to adjust polycrystalline silicon carbide etching rate profile by chlorine trifluoride gas
机译:
三氟化氯气体调节多晶硅碳化硅刻蚀速率分布的方法
作者:
Ken Nakagomi
;
Shogo Okuyama
;
Hitoshi Habuka
;
Yoshinao Takahashi
;
Tomohisa Kato
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Etching;
Silicon carbide;
Chlorine;
Substrates;
Ions;
100.
Monolithically integrated solid-state-circuit-breaker for high power applications
机译:
适用于大功率应用的单片集成式固态断路器
作者:
A. Huerner
;
T. Erlbacher
;
A. J. Bauer
;
L. Frey
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Thyristors;
Circuit breakers;
Solid state circuits;
Logic gates;
Numerical simulation;
Electrodes;
Electric potential;
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