Kansas State University.;
机译:在无阶梯4H-SiC台面衬底上生产的3C-SiC和2H-AlN / GaN膜及器件的生长和表征
机译:Ge通过气相外延在轴上4H-SiC衬底上辅助3C-SiC成核和生长
机译:通过在3C-SiC / Si(111)模板上的分子束外延形成薄ALN层的奇异性,其中轴轴向轴偏离4度
机译:在3C-SiC / Si(100)和AlN / Sapphire(0001)衬底上的硼磷化硼的异质生长
机译:模拟和比较3C-SiC,6H-SiC和4H-SiC纳米线的性能。
机译:氢化物气相外延在(0001)AlN上成核并生长(10’11)半极性AlN
机译:在aIN,4H-siC,3C-siC和ZrB 2衬底上的磷化硼的外延
机译:过渡金属 - 硼 - 碳 - 硅系统中的三元相平衡。第2部分。三元系统。第12卷.Ti-Zr-B系统。伪二元系统ZrB2,-NbB2,ZrB2,TaB2和HfB2 -NbB2的研究。