平面化后的致密化

摘要

本发明描述了用于在图案化衬底上形成高密度间隙填充氧化硅的工艺。所述工艺增加尤其在窄沟槽中的间隙填充氧化硅的密度。所述密度还可在宽沟槽和凹入的开放区域中增加。在允许蚀刻速率更加接近匹配的处理之后，在窄和宽沟槽/开放区域中的间隙填充氧化硅的密度变得更加相似。此效应也可被描述为图案加载作用降低。所述工艺涉及随后形成平面化氧化硅。平面化暴露更接近窄沟槽布置的新介电界面。新暴露的界面通过将平面化表面退火和/或暴露到等离子体来促进致密化处理。