一种具有新型反馈结构的半导体功率晶体管及集成电路与封装结构

摘要

本发明公开了一种具有新型反馈结构的半导体功率晶体管，包括水平结构晶体管、垂直结构晶体管，水平和垂直结构晶体管包括抑制本征反馈结构和周期性反馈结构；抑制本征反馈结构设置在所述半导体功率晶体管的电极上；周期性反馈结构设置在所述半导体功率晶体管的内部或/和外部；并提供了一种单片微波集成电路和内匹配晶体管电路封装结构。在进行抑制晶体管本征反馈的基础上,采用无源、有源耦合结构实现周期性反馈及调谐功能，改善了微波性能和宽带特性，解决了电路结构的小型化和可调谐，促进了周期性反馈结构在集成电路上的实现及高效率高性能的内匹配封装。上述实现可用于各类通信系统，特别是4G、5G移动通信系统的射频前端模块等领域。