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薄膜制造方法、薄膜制造设备、光电转换元件的制造方法、逻辑电路的制造方法、发光元件的制造方法、和光控元件的制造方法

摘要

[目的]为了提供一种薄膜制造方法、一种薄膜制造设备、一种光电转换元件的制造方法、一种逻辑电路的制造方法、一种发光元件的制造方法、和一种光控元件的制造方法,利用这些方法和设备可以进行层数控制以及非均质层压成膜。[解决手段]根据本技术的薄膜制造方法包括:令导电成膜靶材与第一端子和第二端子接触;通过在第一端子和第二端子之间施加电压,加热第一区域,该第一区域是在第一端子和第二端子之间成膜靶材的一个区域;将成膜原料提供至第一区域;和通过控制反应时间以形成具有所需层数的薄膜,而在第一区域中形成薄膜。

著录项

  • 公开/公告号CN109154084A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 索尼公司;

    申请/专利号CN201780031996.4

  • 发明设计人 角野宏治;今泉伸治;

    申请日2017-05-17

  • 分类号

  • 代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;

  • 代理人王玉双

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2024-02-19 09:35:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/46 申请日:20170517

    实质审查的生效

  • 2019-01-04

    公开

    公开

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