多沟道鳍式结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

摘要

本发明公开了一种多沟道鳍式结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构和制作方法。主要解决现有多沟道器件栅控能力差及FinFET器件电流低的问题。其自下而上依次包括衬底(1)、第一层AlGaN/GaN异质结(2)、SiN钝化层(4)和源漏栅电极，源电极和漏电极分别位于SiN钝化层两侧顶层AlGaN势垒层上，其特征在于：第一层AlGaN/GaN异质结与SiN钝化层之间设有GaN层和AlGaN势垒层，形成第二层AlGaN/GaN异质结(3)；栅电极覆盖在第二层异质结顶部和第一层及第二层异质结的两侧壁。本发明器件栅控能力强，饱和电流大，亚阈特性好，可用于短栅长的低功耗低噪声微波功率器件。