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コリメータスパッタによる傾斜異方性膜の作製

机译:准分子溅射制备倾斜各向异性膜

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摘要

斜方入射コリメータスバッタ堆積を用いてビットパターン媒体用傾斜磁気異方性膜の作製を検討した。アニール処理したTa/Pt/Ru下地膜上に形成した膜厚10nmのCo-Pt_(20)層において磁気異方性軸が10°程傾いていると見積もられた。この傾きは、膜の結晶配向の傾きとほぼ一致した。この膜の異方性磁界は、実測のヒステリシスループとシミュレーションによるループの印加磁界角度依存性とを比較することで12kOe程と見積もられた。この異方性磁界と飽和磁化より傾斜異方性膜の磁気異方性エネルギー密度は6·10~6 erg/cm~3と見積もられた。斜方入射コリメータスパッタリングは高い異方性を持った傾斜異方性記録メディアの作製に有効であることがわかった。
机译:我们研究了使用倾斜入射准直器散射沉积来制作用于位图介质的倾斜磁各向异性膜。据估计,在退火的Ta / Pt / Ru基膜上形成的10 nm厚的Co-Pt_(20)层中,磁各向异性轴倾斜了大约10°。该倾角与膜的晶体取向的倾角几乎相同。通过比较测得的磁滞回线和通过模拟比较该回线的磁场角依存性,可以估计该薄膜的各向异性磁场约为12 kOe。根据该各向异性磁场和饱和磁化强度,梯度各向异性膜的磁各向异性能量密度估计为6·10〜6 erg / cm〜3。发现倾斜入射准直仪溅射对于生产具有高各向异性的倾斜各向异性记录介质是有效的。

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