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コリメタスパッタによる傾斜異方性膜の作製

机译:准直器溅射制备倾斜各向异性膜

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摘要

Deposition of inclined anisotropy film for bit-patterned media was studied using oblique incidence collimated sputtering. Co-Pt_(20) films with a thickness of10 nm deposited on an annealed Ta/Pt/Ru layer exhibited an inclination angle of the anisotropy axis of around 10 deg. from the film normal corresponding to that of crystalline orientation. The anisotropy field and the inclination angle were estimated by comparing measured hysteresis loops with simulated ones. The estimated anisotropy field of the film was around 12 kOe which indicated an expected anisotropy energy density of 6×10~6 erg/cm~3. It was found that oblique incidence collimated sputtering is useful to fabricate inclined anisotropy recording media with high anisotropy.%斜方入射コリメータスパッタ堆積を用いてビットパターン媒体用傾斜磁気異方性膜の作製を検討した。ァニール処理したTa/Pt/Ru下地膜上に形成した膜厚10nmのCo-Pt_(20)層において磁気異方性軸が10'程傾いていると見積もられた。この傾きは、膜の結晶配向の傾きとほぼ一致した。この膜の異方性磁界は、実測のヒステリシスループとシミュレーションによるループの印加磁界角度依存性とを比較することで12kOe程と見積もられた。この異方性磁界と飽和磁化より傾斜異方性膜の磁気異方性エネルギー密度は6.10~6erg/cm~3と見積もられた。斜方入射コリメータスパッタリングは高い異方性を持った傾斜異方性記録メディアの作製に有効であることがわかった。
机译:用倾斜入射准直溅射研究了位图介质的倾斜各向异性膜的沉积,在退火的Ta / Pt / Ru层上沉积厚度为10 nm的Co-Pt_(20)膜的各向异性轴的倾斜角为距薄膜法线10度(对应于晶体取向),通过将测得的磁滞回线与模拟磁滞回线进行比较来估算各向异性场和倾斜角。估算的薄膜各向异性场约为12 kOe,表明预期的各向异性能量密度倾斜入射准直溅射可用于制造具有高各向异性的倾斜各向异性记录介质。倾斜入射准直溅射可利用溅射沉积法制造,其梯度为6×10〜6 erg / cm〜3。检查渗透膜的制备。据估计,在退火处理的Ta / Pt / Ru底层上形成的Co-Pt_(20)层中的磁各向异性轴倾斜了大约10',厚度为10nm。该倾斜度几乎与膜的晶体取向的倾斜度匹配。通过将测得的磁滞回线与模拟回路所施加的磁场角度相关性进行比较,该薄膜的各向异性磁场估计约为12 kOe。根据该各向异性场和饱和磁化强度,梯度各向异性膜的磁各向异性能量密度估计为6.10〜6erg / cm〜3。发现倾斜入射准直仪溅射对于生产具有高各向异性的倾斜各向异性记录介质是有效的。

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