机译:RTP生长的氮氧化物层应对门挑战
Mattson Thermal Products, Dornstadt, Germany;
机译:基于氧化镧/氧化硅的栅极堆叠性能增强由于CMOS应用的超氧氮化物界面引起的增强
机译:用于MOS栅极应用的NH_3-RTP生长的超薄氧氮化物层
机译:化学气相沉积和快速热氮化的分层工艺制备的氧氮化铝叠层栅介质的电学特性
机译:空气诱导的多晶硅/氮氧化物界面层退化对栅极边缘泄漏的影响
机译:将超薄(1.6-2.0 nm)RPECVD堆叠的氧化物/氮氧化物栅极电介质集成到双多晶硅栅极亚微米CMOSFET中。
机译:迎接我的另一面:一型电压门控离子通道活性的跨双层调制由静电膜不对称
机译:用于MOS栅极应用的NH3-RTP生长的超薄氧氮化物层
机译:代理联合空中层网络(JaLN)实验:商用现成技术在研究未来JaLN挑战中的应用。