机译:化学气相沉积和快速热氮化的分层工艺制备的氧氮化铝叠层栅介质的电学特性
Graduate School of Advanced Sciences and Matters, Hiroshima University, Higashihiroshima-shi, 739-8530 Japan;
high-k dielectrics; aluminum oxide; reliability; MISFET;
机译:低压快速热化学气相沉积形成的具有氮氧化物栅极电介质的n沟道MOSFET的电学特性
机译:栅介质用CeO_2薄膜的制备和电学表征:化学气相沉积与原子层沉积工艺的比较研究
机译:化学气相沉积和原子层沉积制备的CeO_2 / La_2O_3堆叠栅介质的电学性质
机译:沉积温度对快速热化学气相沉积法制备的CMOS栅电极非晶和多晶硅晶粒结构和电学性能的影响
机译:基于快速光热过程的原子层沉积(ALD)系统对高性能栅极介电材料进行处理和表征。
机译:脉冲等离子体化学气相沉积法制备纳米多孔非晶碳化硼薄膜的摩擦学和热稳定性研究
机译:低压快速热化学气相沉积制备薄硅氮氧化物薄膜的表征
机译:用于双栅极亚100nm mOsFET的快速热化学气相沉积