使铌氮氧化物层生长的方法

摘要

本发明提供使具有小的载流子密度的铌氮氧化物层生长的方法。本发明为使铌氮氧化物层生长的方法，该方法具备以下工序：工序(a)，一边将结晶性氧化钛基板的温度维持为600℃以上且750℃以下，一边使第1铌氮氧化物膜在所述结晶性氧化钛基板上生长；和工序(b)，在所述工序(a)之后，一边将所述结晶性氧化钛基板的温度维持为350℃以上，一边使第2铌氮氧化物膜在所述第1铌氮氧化物膜上生长。在此，所述铌氮氧化物层具备所述第1铌氮氧化物膜和所述第2铌氮氧化物膜。