机译:通过MOCVD生长的GaSb / GaAs自组装量子点的阴极发光
Semiconductor Science and Technology Laboratories, Physics Department, Division of Information and Communication Sciences, Macquarie University, Sydney NSW 2109, Australia;
Quantum dots; GaSb; Self-assembled growth; Metalorganic chemical vapour epitaxy; Cathodoluminescence;
机译:金属有机化学气相沉积法生长多层GaSb / GaAs自组装量子点
机译:嵌入InGaAs量子阱中的GaSb / GaAs自组装量子点的发射特性
机译:GaSb / GaAs量子点多层结构的生长温度依赖性阴极发光性质
机译:MOCVD种植的GASB / GAAS的光谱/ GAAS自组装量子点
机译:短波长铟铝镓磷化镁井激光器和磷化铟量子点耦合到应变铟铝镓磷化钯量子孔孔孔,由MOCVD种植
机译:在InP(100)衬底上生长的GaSb / InGaAs II型量子点的结构和光学性质
机译:发射波长和S-P之间的相互作用在11μm以上的MOCVD-生长的InGaAs / GaAs量子点中的发射波长和S-P分裂
机译:Gaas上自组装的Insb和Gasb量子点(001);杂志文章