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苏宇欢;
无;
MOVCD法; GaSb; InAs; GaInAsAb; 合金;
机译:晶格匹配的GaInAsSb / GaSb和GaInAsSb / InAs合金的能带隙和能带边能量随组成的变化
机译:基于GaInAsSb / InAs和GaInAsSb / GaSb的II型异质结的磁输运性质
机译:基于GaInAsSb / InAs和GaInAsSb / GaSb的II型热结的磁输运性质
机译:MOCVD和P-GAINASEB / N-GASB光电二极管生长的GaInassb / Gasb异质结构的性质
机译:InAs / GaSb和基于InAs / InAsSb II型超晶格的红外器件的暗电流抑制,光学性能改进和高频操作
机译:InAs / GaSb和GaSb / InAs核-壳纳米线的能带反转间隙
机译:选择性面积MOCVD生长和载体运输型控制INAS(SB)/ GASB CORESHELL纳米线
机译:用于低电阻欧姆接触的n-Gasb和n-Gasb和n-GaInassb的有机金属气相外延
机译:INAS / GASB应变层超晶格红外探测器的辐射缺陷缓解和相关方法
机译:INAS / GASB应变层超晶格红外探测器中的辐射缺陷缓解方法及相关方法
机译:具有优异的表面平坦性和晶体结构完整性的GaSb / InAs / Si(111)结构及其形成方法,使用该结构的MOS器件和红外检测器件
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