一种在InP衬底上外延生长II型GaSb/InGaAs量子点的方法

摘要

本发明公开了一种II型GaSb/In_0.53Ga_0.47As量子点超晶格材料及其生长方法，该超晶格材第一层为生长在InP衬底上的In_0.53Ga_0.47As缓冲层，第二层为GaSb量子点，第三层为In_0.53Ga_0.47As缓冲层，第四层为GaSb量子点；其生长方法为先在InP衬底表面生长缓冲层后，生长4～5ML GaSb量子点，再生长缓冲层，最后再生长4～5ML GaSb量子点；本发明实现了采用MBE技术在InP衬底上以S‑K模式生长获得GaSb/In_0.53Ga_0.47As量子点，其形貌质量好、光学性能佳；本发明方法有效避免了As‑Sb互换，显著降低了晶格失配度和Ga原子迁移。