机译:快速热退火过程中氧沉淀物在掺锗的切克劳斯基硅中的溶解
State Key Laboratory of Silicon Materials and Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University,Hangzhou 310027, People's Republic of China;
A1. doping; A1. germanium; A1. point defects; A2. czochralski method; A2. single crystal growth; B2. semiconductor silicon;
机译:氮掺杂对快速热退火过程中切克劳斯基硅中氧沉淀溶解的影响
机译:掺锗的切克劳斯基硅:氧沉淀及其退火行为
机译:掺锗的切克劳斯基硅的内部吸杂:通过基于快速热退火的处理仿真处理
机译:快速热退火对Czochralski硅热运动形成和氧沉淀的影响
机译:在快速辅助快速热退火过程中,硼的活化和扩散会改变硅的初始工艺条件。
机译:碳化硅基体中硅纳米晶的快速热退火和结晶机理研究
机译:通过快速热退火预处理的锗掺杂Czochralski硅中热供体的增强形成
机译:Czochralski硅基板的快速热处理:缺陷,裸露区域和少数载流子寿命