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裴志军;
电子部第46研究所;
锗; 直拉硅; 高能粒子辐射; 硅;
机译:锗对掺锗硅中空位聚集的影响
机译:硼和锗共掺杂对掺镓直拉硅中少数载流子寿命的影响
机译:掺锡和锗的硅中与间隙相关的辐射缺陷
机译:硅和硅锗薄膜生长的动力学研究:气体表面反应性,锗表面偏析以及原子氢同时发生的影响。
机译:硅和锗对硅和锗的肖特基势垒高度的面依赖性
机译:锗对锗掺杂硅中空位聚集的影响
机译:高分辨率质子磁性共振光谱对硅氧烷,硅丙胺,锗膦和锗胺的影响
机译:在硅层/硅锗层/硅层的层积结构中仅用离子注入法选择性地形成硅锗层的方法,而无需在顶层和底部层中形成图案,仅选择性地形成硅锗层
机译:通过掺杂影响在硅或硅锗衬底上沉积硅或硅锗的选择性
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