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International symposium on defects in silicon
International symposium on defects in silicon
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1.
Vacancies and interstitials and their interactions with other defects in silicon
机译:
空缺和间质性及其与硅中其他缺陷的互动及其相互作用
作者:
George D. Watkins
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
2.
Hydrogen-containing point defects in silicon
机译:
硅中含氢点缺陷
作者:
Michael Stavola
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
3.
Impact of heavy boron and antimony doping on COPs and goi
机译:
重硼和锑掺杂对警察和果酒的影响
作者:
Toshiaki Ono
;
Hiroshi Horie
;
Morimasa Miyazaki
;
Hideki Tsuya
;
George A. Rozgonyi
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
4.
Influence of rapid thermal annealing on thermal donor formation and oxygen precipitation in czochralski silicon
机译:
快速热退火对Czochralski硅热运动形成和氧沉淀的影响
作者:
Hiroshi Takeno
;
Ken Aihara
;
Yoshinori Hayamizu
;
Tsumoru Masui
;
Masashi Suezawa
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
5.
Process-induced defects in silicon: a never ending story?
机译:
硅的过程诱导的缺陷:永无止境的故事?
作者:
B.O. Kolbesen
;
H. Cerva
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
6.
Evidence for hydrogen molecules in crystalline silicon
机译:
晶体硅中氢分子的证据
作者:
J. Weber
;
A.W.R. Leitch
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
7.
Multilayer defect structure formed under high energy ion implantation in Si
机译:
在SI中高能离子植入下形成的多层缺陷结构
作者:
L. S. Uspenskaya
;
C. R. Cho
;
N. Yarykin
;
G. A. Rozgonyi
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
8.
Structural defects in p/p~+ silicon vapor phase epitaxy
机译:
P / P〜硅气相外延的结构缺陷
作者:
H. Fukuto
;
P. Feichtinger
;
M.S. Goorsky
;
T. Magee
;
D. Oster
;
J. Moreland
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
9.
Effects of surface defects (COPs) on isolation leakage and gate oxide integrity in mos large-scale-integrated-circuit devices and cost effective p~-/p~- epitaxial wafers
机译:
表面缺陷(COP)对MOS大规模集成电路器件中隔离泄漏和栅极氧化物完整性的影响及成本效益P〜/ P〜外延晶片
作者:
Hirofumi Shimizu
;
Tomomi Satoh
;
Masaya Muranaka
;
Kazuya Makabe
;
Masashi Miura
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
10.
Characterization of process-induced defects in silicon technology
机译:
硅技术过程诱导缺陷的特征
作者:
H. Cerva
;
E. Hammerl
;
R. Lemme
;
U. Schwalke
;
K. Wangemann
;
G. Zoth
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
11.
Photoexcitation induced suppression of point defect formation during ion implantation in silicon
机译:
光筛选在硅中离子植入期间点缺陷形成的抑制
作者:
C. R. Cho
;
N. Yarykin
;
G. A. Rozgonyi
;
R. A. Zuhr
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
12.
The dissolution behavior of the void defects by hydrogen annealing in czochralski grown silicon crystals
机译:
Czochralski种植硅晶体中氢退火的空隙缺陷的溶出行为
作者:
K. Nakamura
;
T. Saishoji
;
J. Tomioka
;
T. Katayama
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
13.
Effect of heavy boron doping on oxygen precipitation in czochralski silicon substrates of epitaxial wafers
机译:
重硼掺杂对外延晶片Czochralski硅基衬底氧沉淀的影响
作者:
Koji Sueoka
;
Mitsuharu Yonemura
;
Masanori Akatsuka
;
Hisashi Katahama
;
Toshiaki Ono
;
Eiichi Asayama
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
14.
High performance silicon wafer with wide grown-in void free zone and high density internal gettering site achieved via rapid crystal growth with nitrogen doping and high temperature hydrogen and/or argon annealing
机译:
高性能硅晶片,具有宽的空隙自由区和高密度内部吸气部位,通过快速晶体生长与氮掺杂和高温氢气和/或氩气退火实现
作者:
Masaro Tamatsuka
;
Norihiro Kobayashi
;
Satoshi Tobe
;
Tumoru Masui
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
15.
Effect of crystal defects such as COPs, large dislocations, and osf ring on device integrity degradation
机译:
COMPS,大脱位和OSF环等晶体缺陷对装置完整性降解的影响
作者:
J. G. Park
;
G. S. Lee
;
J. M. Park
;
S. M. Chon
;
H. K. Chung
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
16.
Modeling for the formation of multiple-type COPs in Cz-Si
机译:
CZ-Si中多型警句的形成建模
作者:
Bong Mo Park
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
17.
The effect of the nucleation temperature on the variation of the microstructure of Cz silicon after two-and three-step anneals
机译:
成核温度对二维退火后CZ硅微观结构变化的影响
作者:
C. Y. Kung
;
F. C. Tsuy
;
H. M. Lee
;
S. C. Lee
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
18.
Crystal related surface defects: review, progress and outlook
机译:
水晶相关的表面缺陷:审查,进展和前景
作者:
R. Schmolke
;
D. Graf
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
19.
Control of grown-in defects in czochralski silicon crystals
机译:
控制Czochralski硅晶体成长缺陷
作者:
M. Hourai
;
G.P.Kely
;
T. Tanaka
;
S. Umeno
;
S. Ogushi
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
20.
Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
机译:
CZ-Silicon中的氧锁定脱位
作者:
S. Senkader
;
K. Jurkschat
;
P.R. Wilshaw
;
R. Falster
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
21.
Defect engineering for silicon microphotonics
机译:
硅片缺陷工程
作者:
A. Agarwal
;
J.S. Foresi
;
L.M. Giovane
;
L. Liao
;
J. Michel
;
K. Wada
;
L. C. Kimerling
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
22.
Eliminationg silicon crystal defects induced by thermal and gravitational stresses
机译:
通过热和引力应力引起的消除硅晶体缺陷
作者:
Robert H. Nilson
;
Stewart K. Griffiths
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
23.
Impact of the generation width on the lifetime extraction in Cz silicon p-n junctions
机译:
生成宽度对CZ硅P-N结中寿命提取的影响
作者:
A. Czerwinski
;
E. Simoen
;
A. Poyai
;
C. Claeys
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
24.
Effect of metal contamination and improved cleaning strategies
机译:
金属污染的影响及改进的清洁策略
作者:
P.W. Mertens
;
T. Bearda
;
L.M. Loewenstein
;
A.R. Martin
;
W. Hub
;
B.O. Kolbesen
;
I. Teerlinck
;
R. Vos
;
M. Baeyens
;
S. De Gendt
;
K. Kenis
;
M.M. Heyns
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
25.
Relation between oxygen precipitation and carrier recombination lefetime in Cz-Si crystal
机译:
CZ-Si晶体中氧沉淀与载体复合氢气的关系
作者:
Bo-Young Lee
;
Bong-Mo Park
;
Don-Ha Hwang
;
Oh-Jong Kwon
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
26.
Single-crystal semiconductor layer delamination and transfer through hydrogen implantation
机译:
单晶半导体层分层并通过氢气转移
作者:
M. Bruel
;
B. Aspar
;
H. Moriceau
;
E. Jalaguier
;
C. Lagahe
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
27.
The Role of metal contamination and crystal defects in quarter micron technology
机译:
金属污染和晶体缺陷在四分之一微米技术中的作用
作者:
M. Obry
;
W. Bergholz
;
H. Cerva
;
W. Kurner
;
M. Schrems
;
J.-U. Sachse
;
R. Winkler
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
28.
Computer simulation of oxygen precipitation by considering a temperature dependent interfacial energy
机译:
考虑温度依赖性界面能量,计算机仿真氧沉淀
作者:
J. Esfandyari
;
J. Vanhellemont
;
G. Obermeier
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
29.
Hgh quality Si_(1-x)Ge_x epitaxial growth by cvd
机译:
HGH质量SI_(1-X)GE_X由CVD扩展增长
作者:
J. Murota
;
M. Sakuraba
;
T. Matsuura
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
30.
Defect related problems with the on-chip integration of sensors into cmos devices
机译:
缺陷相关问题与传感器的片上集成到CMOS设备中
作者:
T. Muller
;
G. Kissinger
;
A.C. Benkitsch
;
O. Brand
;
H. Baltes
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
31.
Effect of dopant on the accuracy of oxygen measurement in silicon by gas fusion analysis
机译:
掺杂对气体融合分析硅氧气测量精度的影响
作者:
Herng-Der Chiou
;
Roselynn T. Pajela
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
32.
Phosphorus concentration limitation in czochralski silicon crystals
机译:
Czochralski硅晶体中的磷浓度限制
作者:
Herng-Der Chiou
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
33.
Native point defects in silicon
机译:
硅本地点缺陷
作者:
Hartmut Bracht
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
34.
Effects of light element impurities on the formation of grown-in defects free region of czochralski silicon single crystal
机译:
轻质杂质对Czochralski硅单晶的生长缺陷区域形成的影响
作者:
M. Iida
;
W. Kusaki
;
M. Tamatsuka
;
E. Iino
;
M. Kimura
;
S. Muraoka
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
35.
Dlts characterization of process induced metal defects in Si
机译:
dlts在si中的过程诱导金属缺陷的表征
作者:
Janet L. Benton
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
36.
Thermal gradients measured by thermocouples near growth interfaces in cz silicon crystals
机译:
通过热电偶测量的热梯度在CZ硅晶体中的生长界面附近测量
作者:
Takao Abe
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
37.
Influence of boron doping on oxide precipitate nucleation and gettering of iron impurities in low thermal budget processing of czochralski silicon
机译:
Czochralski硅低热预算加工中硼掺杂对氧化物沉淀成核的影响及其铁杂质
作者:
G. Kissinger
;
J. Vanhellemont
;
G. Morgenstern
;
M. Blietz
;
K. Tittelbach-Helmrich
;
G. Obermeier
;
R. Wahlich
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
38.
Influence of boron on osf-ring dynamics in czochralski silicon
机译:
硼对Czochralski硅的OSF环动态的影响
作者:
Hendi Susanto
;
Talid Sinno
;
Robert A. Brown
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
39.
Numerical simulation of two-dimensional grown-in defect dynamics in czochralski crystal growth of silicon
机译:
硅CZOCHRALSKI晶体生长中二维成长缺陷动态的数值模拟
作者:
Tatsuo Mori
;
Talid R. Sinno
;
Robert A. Brown
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
40.
Point defect generation by the stress due to impurity doping in silicon crystal
机译:
由于硅晶体中的杂质掺杂引起的应力产生的点缺陷
作者:
Michimasa Kikuchi
;
Katsuto Tanahashi
;
Naohisa Inoue
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
41.
Nucleation and growth of extended defects in silicon
机译:
硅中延长缺陷的成核和生长
作者:
Sokrates T. Pantelides
;
Madhavan Ramamoorthy
;
Fernando A. Reboredo
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
42.
The characterization of process induced damage of silicon wafering process - mechanical damage
机译:
硅晶圆工艺诱导工艺造成损伤的特征 - 机械损伤
作者:
Han Seog Oh
;
Jong Rok Kim
;
Tae Hyeong Kim
;
Jae Jun Yu
;
Hong Lim Lee
;
Ju Hyeon Lee
;
Douglas Rice
会议名称:
《International symposium on defects in silicon》
|
1999年
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