CARRIER LIFETIME; CRYSTAL DEFECTS; CZOCHRALSKI METHOD; DECOMPOSITION; ORGANOMETALLIC COMPOUNDS; SILICON; SUBSTRATES; ION IMPLANTATION; MICROSCOPY; MINORITY CARRIERS; RECOMBINATION REACTIONS; TOPOGRAPHY; X RAY ANALYSIS;
机译:紫外光和真空紫外光子对快速热快速光热处理的单晶硅少数载流子寿命的影响
机译:紫外光和真空紫外光子对快速热快速光热加工的单晶硅少数载流子寿命的影响
机译:在不同环境中进行两步快速热处理对切克劳斯基硅中裸露区和氧沉淀的影响
机译:Czochralski硅晶片快速热过程形成氮掺杂对剥离区的影响
机译:CZOCHRALSKI硅晶圆中的裸露区域。
机译:制备工艺和退火处理对硅纳米线薄膜少数载流子寿命的影响
机译:生长点缺陷对Czochralski生长的硅晶片中少数载流子寿命的影响