Effect of ICP Etching on p-type GaN Schottky Contacts

摘要

低Mgドープp-GaNショットキー接触を用いて、誘導結合プラズマ(ICP)エッチング損傷を評価した。ICPエッチングは、電流-電圧特性のメモリー効果と順方向電流注入前後の空乏層容量の変化を大幅に低滅させた。これらの減少は、ァクセプター型の表面欠陥がICPエッチング中に水素原子により不活性化されたまたは、ドナー型欠陥の形成により補償されたことを示唆している。さらに、ICPエッチングにより、障壁高さが2.08がから2.63eVまで増加することを光応答測定から明らかにした。界面準位の変化により、フェルミ準位の位置はエッチングによってわずかに伝導帯エッジに移動したと考えられる。熱処理により、この影響は部分的に回復し、空乏層容量は増加し、PRスペクトルは拮抗した。%Low-Mg-doped p-GaN Schottky contacts were applied to evaluate inductive coupled plasma (ICP) etching damages. The ICP etching greatly affected reducing the memory effect in the current-voltage characteristics and difference between the depletion layer capacitances before and after forward current injection. These reductions indicate that the acceptor-type interfacial defects were passivated by H atoms and/or compensated by donor-type defects formed during the ICP etching. Additionally, photoresponse measurements revealed that the etching increased qφB from 2.08 to 2.63 eV. Due to the change of the surface states, the Fermi level position would move to the conduction band edge slightly by the etching. By the annealing, this effect was partially removed, and then the capacitance difference increased and the PR spectrum showed less variation.