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邓俊静; 齐胜利; 陈志忠; 田朋飞; 郝茂盛; 张国义;
中国电子学会;
广州市科协;
感应耦合; 等离子体刻蚀; 氮空位; 表面改性; 自补偿作用; 欧姆特性;
机译:ICP刻蚀对p型GaN肖特基接触的影响
机译:与Ni退火以在ICP蚀刻的p-GaN上形成欧姆接触
机译:通过电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)和Ⅲ-Ⅴ材料的原子层刻蚀(ALE)进行低损伤刻蚀,以实现下一代器件性能。
机译:食品接触材料的表面改性,用于加工和包装应用。
机译:等离子体电子通量对InGaN / GaN发光二极管p-GaN上超薄锡掺杂氧化铟接触层的无损溅射溅射的影响
机译:通过ICP-RIE氧化和湿法刻蚀可控制刻蚀速率的AlGaN / GaN的精密凹槽
机译:电感耦合等离子体(ICp)干蚀刻中三氯化硼/氯气体分子外延生长p型氮化铝镓的刻蚀特性及表面分析
机译:制备透明欧姆接触结构BeO / Au / BeO / p-GaN的方法
机译:透明的OH接触结构BeO / Au / BeO / p-GaN的制备方法
机译:p-GaN半导体欧姆接触的透明电极膜
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