AlGaN/GaN MISHFETでは電子は酸化膜/AlGaNのMOS界面またはAlGaN/GaN界面を電子が流れる。 また、ェンハンスメント動作を目的とするためしきい値制御のリセスエッチングを用いることが多く、電子移動度が影響を受ける懸念がある。そこで、ゲート容量と相互コンダクタンス(Gm)を測定することでチャネルの電界効果移動度を測定した。電子移動度はゲートバイアスで変化するが、チャネル垂直方向電界に対する依存性で見るとリセスエッチングをしないMISHFETでの移動度は同一基板上のHFETと全く同じであった。しかし、リセスエツチングをした試料では移動度の低下が見られた。%In AlGaN/GaN MISHFETs, current flows either at oxide/AlGaN MIS interface or AlGaN/GaN hetero-barrier interface. For enhancement-mode operation, recess etching will be used to tune the threshold voltage. Then, carrier drift mobility can be degraded. We measured transconductance Gm and gate capacitance Cg at the same gate bias to avoid hysteresis effects. The measured carrier mobilities vary with the gate bias, but the dependency on the transversal field strength is the same for HFET and MISHFET without recess etching. However, the degradation is observed in MISHFETs with recess etching.
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机译：在AlGaN / GaN MISHFET中，电子在氧化膜/ AlGaN MOS界面或AlGaN / GaN界面处流动。另外，由于通常出于增强操作的目的而使用用于阈值控制的凹陷蚀刻，因此存在影响电子迁移率的担忧。因此，通过测量栅极电容和跨导（Gm）来测量沟道的场效应迁移率。尽管电子迁移率随栅极偏压而变化，但是从沟道垂直方向上的电场依赖性来看，没有凹陷蚀刻的MISHFET的迁移率与同一衬底上的HFET的迁移率完全相同。然而，在凹陷蚀刻的样品中观察到较低的迁移率。在AlGaN / GaN MISHFET中，电流流经氧化物/ AlGaN MIS界面或AlGaN / GaN异质势垒界面，对于增强模式操作，将使用凹陷蚀刻来调整阈值电压，然后会降低载流子迁移率。为了避免磁滞效应，我们在相同的栅极偏置下测量了跨导Gm和栅极电容Cg。被测的载流子迁移率随栅极偏置而变化，但对于没有凹陷蚀刻的HFET和MISHFET，其对横向场强的依赖性相同。在具有凹槽蚀刻的MISHFET中观察到了退化。
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